站内搜索
日本一个研究团队14日在英国《自然》杂志网络版上报告说，他们开发出一种制作有机半导体单晶薄膜的新技术。新技术由日本产业技术综合研究所等机构的科研人员联合开发。据称，该技术能使平板显
https://www.alighting.cn/news/20110718/100410.htm2011/7/18 11:05:43
牌和外资厂打压。三、大功率led封装技术的回顾1、产品形式：传统直插式仿食人鱼式铝基板式(mcpcb)to封装贴片式(smd)emitter式特殊应用封装2、输入功率：0.5w→1w
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229963.html2011/7/17 23:38:00
此增加光反射后的散射角度,进而使取光率提升。或如德国欧司朗(osram)使用SiC材料的基板,并将基板设计成斜面,也有助于增加反射,或加入银质、铝质的金属镜射层。▲亮度提升的le
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229962.html2011/7/17 23:37:00
张,但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。3.点胶在led支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。(对于gaas、SiC导电衬底,具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片,采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229960.html2011/7/17 23:36:00
出的蓝 光与基板znse作用发出互补的黄光,从而形成白光光源。美国boston大学光子研究中心用同样的方法在蓝光gan-led上叠放一层alingap半 导体复合物,也生成了白
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
d的结构示意图：sed的结构示意图前玻璃基板上涂有红、绿、蓝三色荧光粉,并作为阳极相对后玻璃基板加有几千伏的高压。通过丝网印刷法在后玻璃基板上制作对应每个像素的金属电极,并用喷墨印
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229937.html2011/7/17 23:25:00
体单晶材料非常困难,到目前为止尚未有行之有效的办法。有研究人员通过hvpe方法在其他衬底(如al2o3、SiC、lgo)上生长氮化镓厚膜,然后通过剥离技术实现衬底和氮化镓厚膜的分
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和SiC,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
光led。其技术是先在znse单晶基底上生长一层cdznse薄膜,通电后该薄膜发出的蓝 光与基板znse作用发出互补的黄光,从而形成白光光源。美国boston大学光子研究中心用同
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
代亮度越来越高的器件。在1990年左右推出的基于碳化硅(SiC)裸片材料的led效率大约是0.04流明/瓦,发出的光强度很少有超过15毫堪(millicandel)的。90年代中
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229925.html2011/7/17 23:19:00
