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流下点亮，最佳视角上及中心位置上发光强度最大的点。封装led时顶部透镜的形状和led芯片距顶部透镜的位置决定了led视角和光强分布。一般来说相同的led视角越大，最大发光强度越
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2010/10/20/109145.html2010/10/20 17:22:00
备规模的上游中低端芯片生产企业已经超过了三十家，而以中低端封装产品为主体的企业大部分集中在珠三角和长三角地区，其产能已经占据了全世界总产量的60%，而下游终端应用产品则更加庞大，估
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2010/11/10/113184.html2010/11/10 16:20:00
立的封装led芯片(亮化灯具产品核心原材料)的生产线;同时具备城市及道路照明工程专业承包资质; 3.1.2 企业业绩：在2005年10月1日至2010年9月30日期间，至少完成
http://blog.alighting.cn/cmjlaya/archive/2010/11/15/114169.html2010/11/15 10:25:00
光透镜，是将透镜与led芯片、基座等共同组成了一个电光源，不能将这个光源自带的透镜看作是原投光灯定义中的“折射器”。所以，在原投光灯的定义中，应该去掉有关的定语：“利用反射器和折射器
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114784.html2010/11/17 21:25:00
电管理芯片控制，高可靠性、快速充电、过充保护、短路保护、涓流充电、状态指示。 技术参数 序号 参数名称 单位 数值 1
http://blog.alighting.cn/qichen/archive/2010/12/7/118671.html2010/12/7 10:31:00
性,可在各种易燃、易爆场所直接使用。锂电头灯电路采用高分子ptc微电子芯片组成自动断电和自动短路保护装置的安全电路,一旦发生故障,能在1ms内切断电路，可实现矿灯的本质安全。当故
http://blog.alighting.cn/xhp2010/archive/2010/12/10/119557.html2010/12/10 9:22:00
ω （6-1） 式中φ的单位为流明，iv的单位即是cd，dω是单位立体角，单位为度。 一个超亮led芯片的法向光强一般在30—120mcd之间，封装成器件后， 其法向光强通常要大
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120381.html2010/12/13 14:28:00
有做好防静电的工作，使led的内部已经被静电所伤害。 尽管施加的是正常电压和电流值，也是极易造成led的损坏。 这些原因都会造成led电流的明显大幅上升， 很快led的芯片就
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120409.html2010/12/13 14:43:00
使芯片内部过热造成的。tvs只能探测过电压不能探测过电流。 过电压肯定是过电流的原因，但是要选择合适的电压保护点很难掌握， 这种器件就无法生产也就很难在实际中使用。 2、我
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120410.html2010/12/13 14:43:00
们针对以上的缺点，进行一次颠覆式的创新。 我们利用最新的散热处理和封装技术，直接将led芯片固晶在高导热系数铝基板上面。 这样就减少传统的支架，减少了传导介质，让散热更好。 同
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120506.html2010/12/13 22:40:00
