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茂达电子新推可驱动6颗串联白光led的驱动器

据了解,apw7207固定的1mhz切换频率,可以有效减少外部电感及电容的体积,内建28v过电压保护功能,可避免负载空接而产生不预期高压,最高效率可达88%,内部提供0.25v参

  https://www.alighting.cn/news/20100106/119251.htm2010/1/6 0:00:00

白光led的奈米结构控制技术(组图)--国内技术

」,并委托日亚化学与丰田合成进行技术开发,该计划小组将近紫外led的外部量子效率(以下简称为取光效率)目标定为40%,当时蓝光led的取光效率为15%,紫外led的取光效率祇有7.5

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230338.html2011/7/20 0:15:00

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274795.html2012/5/16 21:32:09

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114854.html2010/11/18 0:21:00

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258617.html2011/12/19 11:09:24

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261455.html2012/1/8 21:36:18

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262626.html2012/1/29 0:34:17

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271728.html2012/4/10 23:29:39

荧光粉在芯片使用中的作用

用在于光色复合,形成白光。其特性主要包括粒度、形状、发光效率、转换效率、稳定性(热和化学)等,其中,发光效率和转换效率是关键。研究表明,随着温度上升,荧光粉量子效率降低,出光减

  http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115010.html2010/11/18 15:53:00

白光led的奈米结构控制技术(组图)--国内技术

「21世纪光源计划小组」,并委托日亚化学与丰田合成进行技术开发,该计划小组将近紫外led的外部量子效率(以下简称为取光效率)目标定为40%,当时蓝光led的取光效率为15%,紫

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134096.html2011/2/20 22:19:00

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