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led芯片的技术发展状况

掉原来用于生长外延层的衬底,然后将外延层键合转移倒导电和导热性能良好热导率大的衬底上,如铜、铝、金锡合金、氮化铝等。键合可用合金焊料如ausn、pbsn、in等来完成。si的热导率

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

浅谈led產生有色光的方法

d等。由於製造採用了鎵、砷、磷三种元素,所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN氮化鎵)的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led,被称为二元素发光管。而目

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258572.html2011/12/19 11:01:04

浅谈led產生有色光的方法

d等。由於製造採用了鎵、砷、磷三种元素,所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN氮化鎵)的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led,被称为二元素发光管。而目

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261495.html2012/1/8 21:46:02

led芯片的技术发展状况

掉原来用于生长外延层的衬底,然后将外延层键合转移倒导电和导热性能良好热导率大的衬底上,如铜、铝、金锡合金、氮化铝等。键合可用合金焊料如ausn、pbsn、in等来完成。si的热导率

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

浅谈led產生有色光的方法

d等。由於製造採用了鎵、砷、磷三种元素,所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN氮化鎵)的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led,被称为二元素发光管。而目

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262668.html2012/1/29 0:36:52

led芯片的技术发展状况

掉原来用于生长外延层的衬底,然后将外延层键合转移倒导电和导热性能良好热导率大的衬底上,如铜、铝、金锡合金、氮化铝等。键合可用合金焊料如ausn、pbsn、in等来完成。si的热导率

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

[原创]led的散热(一)

底。因为硅材料的基底不受专利的限制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是GaN的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂,解决的方法是在中间加一层氮化铝(aln)作缓

  http://blog.alighting.cn/25852/archive/2012/3/10/267444.html2012/3/10 10:14:59

[原创]led的散热(一)

底。因为硅材料的基底不受专利的限制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是GaN的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂,解决的方法是在中间加一层氮化铝(aln)作缓

  http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267555.html2012/3/12 19:16:18

led芯片的技术发展状况

掉原来用于生长外延层的衬底,然后将外延层键合转移倒导电和导热性能良好热导率大的衬底上,如铜、铝、金锡合金、氮化铝等。键合可用合金焊料如ausn、pbsn、in等来完成。si的热导率

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

led芯片的技术发展状况

掉原来用于生长外延层的衬底,然后将外延层键合转移倒导电和导热性能良好热导率大的衬底上,如铜、铝、金锡合金、氮化铝等。键合可用合金焊料如ausn、pbsn、in等来完成。si的热导率

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

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