站内搜索
本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长zno外延薄膜。引入高阻非晶sio2缓冲层，有效地降低了检测过程中单晶衬底对zno薄膜的电学性能影响。利用xrd，sem，ha
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47
用脉冲激光沉积(pld)技术制备了zno/sic/si和zno/si薄膜并制成了紫外探测器。利用x射线衍射(xrd),光致发光(pl)谱,i-v曲线和光电响应谱对薄膜的结构和光
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:14:12
法制备了未掺杂zno薄膜。通过x射线衍射、拉曼光谱、光致发光光谱和吸收光谱对其结构和光学性质进行了表
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:48:48
低了材料中的氧杂质含量,得到了高质量algainas应变补偿量子阱材料,室温光致发光半宽fwhm =2 6mev。采用此外延材料成功制作了1 3μm无致冷algainas应变量子
https://www.alighting.cn/2011/10/8 12:00:18
w）亲自捉刀，从街道、广场节点、店面装饰、灯光系统、导识系统各方面深入打造，以最具商业价值的街道空间，在光谷步行街再现迪斯尼商业奇迹。 在西班牙风情街，清朗明丽的地中海风情，凹凸有
http://blog.alighting.cn/sztatts/archive/2011/10/8/243469.html2011/10/8 9:56:50
研究了三氧化钼(moo3)薄层作为有机电致发光器件空穴注入层的器件性能和注入机制。发现1nm厚度下发光器件性能最佳,器件的最大电流效率比对比发光器件的最大电流效率提高1.6倍。器
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127047.htm2011/9/30 11:19:54
时获得了p型zno薄膜,而且在420℃时,其电学性能最好,空穴浓度为1.61×1018cm-3,电阻率为4.64ω.cm,迁移率为0.838cm2/(v.s).霍尔测试和低温光致发光
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127048.htm2011/9/30 10:49:25
d景观灯具的工作环境led户外照明灯具由于工作环境比较复杂,受温度、紫外线、湿度、下雨天雨水、沙尘、化学气体等自然条件的影响,时间一长,就会到致led光衰严重的问题。所以终上考虑,户
http://blog.alighting.cn/110231/archive/2011/9/28/240404.html2011/9/28 9:12:38
道大、技术水准差异大、评价方式不一致等多种问题，虽然有一些不错的应用实例，但也有失败的教训，led室内照明的应用前景招来质疑声一片。有些传统照明企业投资转型led灯具，虽然提出很
http://blog.alighting.cn/guangxi/archive/2011/9/26/239331.html2011/9/26 13:24:02
元，随着led显示屏向超长、超宽、超大屏的方向发展，必然对led管芯的发光、显色致性、可靠性、配套商供货能力有进步要求，从而形成了对上游led芯片、封装厂商的品牌、规模壁垒。 国
http://blog.alighting.cn/chseven/archive/2011/9/23/238121.html2011/9/23 12:49:39
