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4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1～2 mw,紫光1～2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233025.html2011/8/19 23:25:00
国在光电显示器件的研制与生产方面与国外相比有较大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度le
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233022.html2011/8/19 23:23:00
大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器,像素密度达到5-6个/mm2。
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232836.html2011/8/19 1:10:00
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232833.html2011/8/19 1:07:00
大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器,像素密度达到5-6个/mm2。表
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232825.html2011/8/19 1:00:00
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232826.html2011/8/19 1:00:00
区域的光输出密度接近高强度气体放电灯，再利用灯具反射器进行配光，但这种设计方式的灯具分布光度也不会优于传统的道路灯具，并且由于在一个很小的区域内集成了高密度的led，使led的散
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232819.html2011/8/19 0:29:00
加，导致整个发光平面发光强度分佈比较均匀。在计算萤幕发光强度时，需根据led视角和led的排放密度，将厂商提供的最大点发光强度值乘以30％～90％不等，作为单管平均发光强度。一
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232817.html2011/8/19 0:28:00
性表明，在ｐ焊线电极与ｎ电极的距离差不多时，芯片ｉ－ｖ特性与镶嵌结构电极芯片相当。图２（ｂ）ｐ焊线电极远离ｎ电极对角电极芯片相对ｖｆ较高，这说明ｐ焊线电极下面的电流密度比与ｎ电极等距
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00
以克服了某些led的缺点。例如，蓝色led效率较低，通常需要更高电流的驱动已达到亮度的平衡。通过适当的缩放fet的责任周期也可解决此问题，并产生同样的亮度平衡。由于是电流密度控制了
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/18/232789.html2011/8/18 23:38:00
