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2048像素led平板显示器件的封装

d平板显示器,像素密度达到5-6个/mm2。表1通过对比列出了国外几款led平板显示器主要技术性能。本文介绍了一种采用厚混合集成技术研制的2048像素(64×32)矩阵式led平

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261518.html2012/1/8 21:47:33

2048像素led平板显示器件的封装

表1通过对比列出了国外几款led平板显示器主要技术性能。本文介绍了一种采用厚混合集成技术研制的2048像素(64×32)矩阵式led平板显示器的封装结构设计与工艺制造。该显示器像

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261514.html2012/1/8 21:47:22

2048像素led平板显示器件的封装

1通过对比列出了国外几款led平板显示器主要技术性能。本文介绍了一种采用厚混合集成技术研制的2048像素(64×32)矩阵式led平板显示器的封装结构设计与工艺制造。该显示器像素尺

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261504.html2012/1/8 21:46:54

2048像素led平板显示器件的封装

1通过对比列出了国外几款led平板显示器主要技术性能。本文介绍了一种采用厚混合集成技术研制的2048像素(64×32)矩阵式led平板显示器的封装结构设计与工艺制造。该显示器像素尺

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浅谈led產生有色光的方法

光强度为1600cd。而真正的lcd投影机由於光传播的损耗、反射或透光的损耗和光线分佈不均匀,亮度将大打折扣,一般有50%的效率就很好了。实际使用中,光强计算常常採用比较容易测

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261495.html2012/1/8 21:46:02

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

法在蓝宝石衬底上生长的蓝色gan基led外延片,外延片为多量子阱结构。芯片制造中,n欧姆接触电极采用ti/al/ti/au结构,p欧姆接触电极用氧化ni/au透明电极,焊线电极

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

高亮度led封装工艺技术及方案

断改进,如利用不同的电极设计控制电流密度,利用ITO技术令通过led的电流能平均分布等,使led芯片在结构上都尽可能产生最多的光子。再运用各种不同方法去抽出led发出的每一粒光

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261467.html2012/1/8 21:39:14

led结温产生的根本原因及处理对策

高。d、显然,led元件的热散失能力是决定结温高低的又一个关键条件。散热能力强时,结温下降,反之,散热能力差时结温将上升。由于环氧胶是低热导材料,因此p—n结处产生的热量很难通过透

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261458.html2012/1/8 21:36:25

led光源在工程应用中的一些常识

色 波长 λd(nm) 正向电压vf 亮度iv(mcd)if=20ma min. max. 红色 水透明 645~660 1.8 2.5 50~300黄绿色 水透明 570~575

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功率型led封装技术的关键工艺分析

热;甚至设计二次散热装置,来降低器件的热阻。在器件的内部,填充透明度高的柔性硅橡胶,在硅橡胶承受的温度范围内(一般为-40℃~200℃),胶体不会因温度骤然变化而导致器件开路,也

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