站内搜索
刷的方法在金属电极间制作氧化钯薄膜电子发射阴极。上图右下角就是单个像素的示意图。生成了氧化钯膜的金属电极间距只有4-6个纳米,当金属电极间加上10几伏的电压后,极间将形成超高电场,氧
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229937.html2011/7/17 23:25:00
有前瞻性的意义。rgb led背光的应用,演绎出场序式色彩(field sequential color,fsc)技术,部分厂商已经试制出无彩色滤光片的产品,可大幅度提高面板系
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229939.html2011/7/17 23:25:00
即晶粒,一般情况下,为便于测试,提高效率,同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测(probe)仪对每个晶粒检测其电气特性,并将不
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00
度很高的材料；(6)、外延层大面积均匀性良好；(7)、可以进行大规模生产。mocvd与另一种新型外延技术--分子束外延(mbe)相比,不仅具有mbe所能进行的超薄层、陡界面外延生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
晶,向4-6英?挤较蚍⒄梗?以及降低杂质污染和提高表面抛光质量。3)sic衬底除了al2o3衬底外,目前用于氮化镓生长衬底就是sic,它在市场上的占有率位居第二,目前还未有第三种衬
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
外延技术与设备是外延片制造技术的关键所在,金属有机物化学气相淀积(metal-organic chemical vapor deposition,简称mocvd)技术生长iii-
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
品。(4)小尺寸lcd背光源国内小尺寸(7寸以下)背光源市场约20亿元。led已在手机、mp3、mp4、dc/dv及pda等小尺寸lcd面板领域取得了成熟广泛的应用与普及。随着彩
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229931.html2011/7/17 23:22:00
亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破gan材料的关键技术,实现蓝、绿、白的led的中批量生产。据预
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00
面是关于led未来晶圆技术的一些发展趋势。1.改进两步法生长制程目前商业化生产采用的是两步生长制程,但一次可装入衬底数有限,6片机比较成熟,20片左右的机台还在成熟中,片数较多后导致晶
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
