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2.2硅底板倒装法： 首先制备出具有适合共晶焊接电极的大尺寸led芯片（flip chip led）。同时制备出相应尺寸的硅底板，并在上制作出供共晶焊接的金导电层及引出导电
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115542.html2010/11/20 23:43:00
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115541.html2010/11/20 23:42:00
阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，并通过增
http://blog.alighting.cn/Autumn/archive/2010/11/18/115038.html2010/11/18 17:03:00
界的热交换。常用的散热基板材料包括硅、金属(如铝，铜)、陶瓷(如al2o3，aln，sic)和复合材料等。如nichia公司的第三代led采用cuw做衬底，将1mm芯片倒装在cuw衬
http://blog.alighting.cn/Autumn/archive/2010/11/18/115035.html2010/11/18 16:56:00
http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115034.html2010/11/18 16:41:00
下，从而确保了led的使用寿命和良好的发光性能。而华中科技大学则采用COB封装和微喷主动散热技术，封装出了220w和1500w的超大功率led白光光
http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115033.html2010/11/18 16:40:00
晶科电子(广州)有限公司的1瓦大功率led、大功率led模组芯片、1瓦大功率led倒装芯片通过了“广东省自主创新产品”的认定，并因此获得了政府采购的首选资格，有效期为三年。
https://www.alighting.cn/news/20101118/n310529159.htm2010/11/18 9:03:05
术和多量子阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114854.html2010/11/18 0:21:00
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114843.html2010/11/18 0:13:00
在近日公布的2010年广东省自主创新产品目录中，晶科电子(广州)有限公司的1瓦大功率led、大功率led模组芯片、1瓦大功率led倒装芯片通过了“广东省自主创新产品”的认定，并因
https://www.alighting.cn/news/20101118/105823.htm2010/11/18 0:00:00
