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d等。由於製造採用了鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN（氮化鎵）的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led，被称为二元素发光管。而目
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271770.html2012/4/10 23:32:26
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274751.html2012/5/16 21:29:47
掉原来用于生长外延层的衬底，然后将外延层键合转移倒导电和导热性能良好热导率大的衬底上，如铜、铝、金锡合金、氮化铝等。键合可用合金焊料如ausn、pbsn、in等来完成。si的热导率
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16
底。因为硅材料的基底不受专利的限制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是GaN的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂，解决的方法是在中间加一层氮化铝(aln)作缓
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282564.html2012/7/19 10:58:17
制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是GaN的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂，解决的方法是在中间加一层氮化铝（aln）作缓冲。衬底材料导热系数w/(m·k)膨胀系数(x10e-
http://blog.alighting.cn/trumpled/archive/2012/9/9/289456.html2012/9/9 11:47:13
本文根据目前半导体照明的最新研究进展，介绍了GaN基白光led应用在室内照明领域的发展趋势，从视觉指标、光学参数、封装技术、价格等方面出发，指出了白光led在日常照明普及过程
https://www.alighting.cn/resource/200961/v19863.htm2009/6/1 9:33:11
欧盟近期资助的一个研究项目，代号为newled，投资1500万美元，将探讨新的方式来建立不需要荧光粉的白光led，目标是发展高效率、高亮度单片或混合半导体白光GaN基led。
https://www.alighting.cn/news/201334/n495549364.htm2013/3/4 15:03:15
提高led芯片的出光效率是解决led光源大功率化和可靠性的根本。根据led芯片所用衬底材料的不同,总结了近年来提高GaN基led出光效率的研究进展,介绍了新的设计思路、工艺结构
https://www.alighting.cn/2014/10/24 11:41:38
介绍了led的技术发展过程,从材料的发展到波长的扩展;从GaN基蓝光led、荧光粉到白光led的实现;元件结构的改进对发光效率的提升;工艺的发展对单色功率的提升。同时对封装材料
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127231.htm2011/8/30 13:50:08
通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127395.htm2011/7/26 11:57:10
