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飞兆半导体恒流led驱动系统设计方案

路,接着分析了电路的性能,最后进行实验仿真。从仿真结果可以看出本系统在温度波动比较大的范围内比较稳

  https://www.alighting.cn/resource/20130115/126162.htm2013/1/15 14:55:16

针对移动电话闪光灯的led驱动方案

向电压不仅仅随温度而变化,而且也有其自身的差异。正向电压的这种变化源自于其生产过程,其变化范围为±20

  https://www.alighting.cn/resource/20121023/126320.htm2012/10/23 14:53:20

非金属基导热材料对hpled散热性能影响

属基导热界面材料在不同环境温度条件下,应用于hpled灯具模型中的第二界面处时对灯具散热情况的影

  https://www.alighting.cn/2012/9/21 17:42:51

大功率集成led光转换光源的研制

光转换光源。利用镜面铝基板的高导热系数,解决多种led封装形式下芯片点亮温度过高、光源衰减快的问

  https://www.alighting.cn/2012/9/18 18:55:48

浅析:led被静电击穿的现象及原因

在极短的瞬间(纳秒级)对led芯片的两个电极之间进行放电,瞬间将在两个电极之间(阻值最小的地方,往往是电极周围)的导电层、发光层等芯片内部物质产生局部的高温,温度高达1400

  https://www.alighting.cn/2012/3/22 12:56:19

pptc器件用于保护高亮度led照明系统

闸),并且将电路中的电流降低到一个任何电路单元都能够安全承载的电流值。这种变化由i2r发热原理带来的器件温度迅速升高而引

  https://www.alighting.cn/resource/20120308/126687.htm2012/3/8 16:50:29

白光led用硅酸盐srbasio:neumce 荧光粉制备与发光性能的研究

本文对高温固相法制备稀土掺杂sr2sio4∶eu荧光粉进行了深入的研究:通过对sr2sio4∶eu荧光粉的合成温度、保温时间、激发波长、掺杂离子种类等制备工艺的优化,确定稀土掺

  https://www.alighting.cn/2012/3/6 18:20:23

p型透明导电cu-al-o薄膜的制备与光电性能研究

膜进行了表征和分析。研究了退火温度、氧氩比和溅射功率对薄膜光电特性的影

  https://www.alighting.cn/resource/20111020/126989.htm2011/10/20 14:02:02

led生产过程中的湿度控制

以都属于潮湿敏感性元件,而潮湿敏感性元件暴露在回流焊接期间升高的温度环境下,陷于树脂的表面贴装元件(smd, surface mount device)内部的潮湿会产生足够的蒸汽压力损

  https://www.alighting.cn/2011/10/19 17:00:53

sio2/si衬底制备zno薄膜及表征

m,hall和pl对其进行研究。结果表明,在衬底温度为500℃时,生长的zno薄膜具有优良的晶体质量,电学性能和发光性

  https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47

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