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性,实验结果与理论模型符合良好.通过对测量结果和以上模型的分析,深入研究低剂量电离辐照损伤和发光二极管性能衰减的关系
https://www.alighting.cn/resource/20110818/127298.htm2011/8/18 14:31:26
利用低压mocvd系统,在蓝宝石衬底上外延生长了ingan/gan多量子阱蓝紫光led结构材料。研究了生长温度对有源层ingan/gan多量子阱的合金组分、结晶品质及其发光特
https://www.alighting.cn/resource/20110425/127697.htm2011/4/25 11:47:08
在si衬底上生长了gan基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板gan基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大
https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39
采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备,在(100)面gasb单晶衬底上生长了ⅱ型inas/gasb超晶格材料.利用双晶x射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段
https://www.alighting.cn/resource/20130418/125702.htm2013/4/18 14:00:59
-卡洛仿真分析了led非线性对采用正交频分复用(ofdm)的可见光通信系统(vlc)性能的影响。分析结果表明ofdm的vlc系统性能受ledi-v特性非线性、直流偏置电压、基带调
https://www.alighting.cn/resource/20130319/125862.htm2013/3/19 10:15:00
研究发光二极管(light-emittingdiode,led)直肠内照射对大鼠实验性溃疡性结肠炎(ulcerativecolitis,uc)的抗过氧化损伤以及促进结肠粘膜组
https://www.alighting.cn/2011/10/19 14:04:47
由于有机电致发光器件(organic light-emitting devices,oleds)的主动发光、高亮度等优点,在显示和照明领域有极大的应用前景。报道了纳米zno薄膜
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127166.htm2011/9/9 10:02:15
在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
面金属反射镜与量子阱层的间距对led出光效率的影响,并采用f-p干涉模型进行了理论分析。结果显示,光提取效率受d影响很大,随d的增加呈现类似阻尼振动的变化趋势,分别在0.73λn处和
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48
采用数值算法自洽求解poisson和schr?dinger方程,计算了algan势垒层的应变弛豫度对高al含量algan/gan高电子迁移率晶体管(hemt)中的导带结构、电子浓
https://www.alighting.cn/resource/20110816/127305.htm2011/8/16 14:21:55
