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mocvd法制备磷掺杂pzno薄膜

利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的pzno薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明生长温度为400~450℃

  https://www.alighting.cn/resource/20110930/127048.htm2011/9/30 10:49:25

两步镀膜ti/al/ti/au的ngan欧姆接触研究

报道了一种可靠稳定且低接触电阻的ngan欧姆接触。首先在掺硅的ngan(3×1018cm-3)蒸镀ti(30nm)/al(500nm),然后在氮气环境530℃合金化3mi

  https://www.alighting.cn/resource/20130924/125296.htm2013/9/24 13:44:54

l·l—c 荧光灯镇流器

针对荧光灯照明中所应用的普通电感式镇流器及电子镇流器目前尚存的不足之处,根据荧光灯镇流器的基本工作原理,运用电气“对称互补”理论,改进出一种新的l·l—c组合镇流器,并对其工

  https://www.alighting.cn/resource/2008110/V265.htm2008/1/10 10:50:53

功率led中的光学与热学问题

《功率led中的光学与热学问题》讲述一、功率led空间温度场分布及散热的研究:1.微区温度场的数值计算,2.微区温度场的测试,3.芯片面积的限制因素。二、功率led应用中的光

  https://www.alighting.cn/resource/2011/6/29/153651_00.htm2011/6/29 15:36:51

金属封装功率半导体固体照明技术

民科企业淼浩公司研发的“金属封装功率半导体固体照明关键技术”,成为国家实施半导体照明重大专项以来第一个通过鉴定的项目,其产业化后,“节电八成、基本上可用一辈子”的“半导体神灯

  https://www.alighting.cn/resource/20060119/128475.htm2006/1/19 0:00:00

牺牲ni退火对硅衬底gan基发光二极管p接触影响

本文系统研究了ni覆盖层厚度及退火温度对硅衬底gan基led薄膜p欧姆接触的影响,在不需二次退火的情况下获得了高性能的p欧姆接触层。

  https://www.alighting.cn/resource/2013/9/3/175434_16.htm2013/9/3 17:54:34

节能灯的节能原理分析(图)

节能灯的学名叫紧凑三基色电子荧光灯(简称cfl灯),1978年由国外厂家首先发明的,由于它具有光效高(是普通灯泡的5倍),节能效果明显,寿命长(是普通灯泡的8倍),体积小,使

  https://www.alighting.cn/resource/2008423/V15247.htm2008/4/23 9:54:57

浙江山蒲照明t5荧光灯应用分析(图)

浙江山蒲照明电器有限公司创建于1993年,位于中国最大的环形荧光灯管生产基地——浙江缙云,是一家专业生产荧光灯管的制造企业。

  https://www.alighting.cn/resource/2010416/V23439.htm2010/4/16 10:13:49

ac高压电源直接驱动led光源技术

传统技术以牺牲用电效率换取led光源的安全,ac高压电源采用过零电源开关,不会损伤led串光源,以“群众力量”共同承担高压安全通道发光。

  https://www.alighting.cn/resource/2012/9/25/114911_49.htm2012/9/25 11:49:11

基于zigbee的智能led路灯照明系统设计

统系统在节省布线,降低成本方面有显著的优势.附件为《基于zigbee的智能led路灯照明系统设计》,欢迎大家下载学

  https://www.alighting.cn/resource/2014/7/11/103014_39.htm2014/7/11 10:30:14

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