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将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了p层厚度即p
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48
一份《led芯片知识大了解》资料，分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/4/3 10:32:14
石上剥离并转移至si衬底上，且gan薄膜的特性没有受到损伤和破坏。在此基础上，结合电镀cu树底的方式，制各出能发光的垂直型gan基led器
https://www.alighting.cn/2013/3/27 13:42:17
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
t foundation classes)开发出了图形用户界面下的应用程序。利用teechart(西班牙steema公司研发的图表控件)控件实现了oled器件性能特性曲线的实时动态显示,并能
https://www.alighting.cn/2013/3/20 10:44:26
一份关于蓝宝石衬底的详细介绍，现在分享给大家，欢迎各位下载附件，查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/3/19 11:05:11
一份由潘述栋整理的《led晶片认识》，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/3/18 10:16:45
在介绍蓝宝石衬底生产工艺流程的基础上，以江苏省某蓝宝石衬底生产项目为例，分析国内此类项目能源消耗情况。结果表明: 该项目消耗的能源包括电力、水、氮气、氩气，据2009 年数据，该
https://www.alighting.cn/resource/20130315/125881.htm2013/3/15 10:01:21
一份关于led用蓝宝石基板(衬底)的详细介绍，现在分享给大家，欢迎大家下载查看。
https://www.alighting.cn/2013/3/13 10:30:12
