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led 外延芯片和外延工艺

led 工作原理可知,外延材料是led 的核心部分,事实上,led 的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延材料。

  https://www.alighting.cn/2013/3/22 13:51:32

我国超高亮度led外延芯片国产化的回顾与展望

来自中国光协光电(led)器件分会的张万生对我国超高亮度led外延芯片国产化的进程进行了回顾与展望,不错的资料,现在分享给大家,欢迎大家下载附件查看详情。

  https://www.alighting.cn/2013/3/19 11:23:09

led晶片认识

一份由潘述栋整理的《led晶片认识》,现在分享给大家,欢迎下载附件查看详细内容。

  https://www.alighting.cn/2013/3/18 10:16:45

led芯片制程与设备环境

一份介绍led芯片制程与设备环境的资料,作者是薛水源。现在分享给大家,欢迎各位下载附件。

  https://www.alighting.cn/2013/3/14 10:02:24

激光处理的蓝宝石可增加hvpe gan厚度

日本和瑞士的研究人员已采用一种蓝宝石衬底激光方式使氢化物气相外延法(hvpe)生长的gan层厚度增加200μm左右。研究人员来自纳米奇精密珠宝公司、洛桑联邦理工学院(epfl)

  https://www.alighting.cn/2013/3/12 10:06:21

gan基蓝光led关键技术进展

n 基蓝光led 制程的关键技术如金属有机物气相外延, p 型掺杂, 欧姆接触, 刻蚀工艺, 芯片切割技术, 介绍了目前各项技术的工艺现状, 最后指出了需要改进的问题, 展望了末

  https://www.alighting.cn/resource/20130311/125922.htm2013/3/11 9:40:56

外延mocvd基本原理及led各层结构

来自维易科公司的关于《外延mocvd基本原理及led各层结构》的技术资料,现在分享给大家。

  https://www.alighting.cn/2013/3/5 11:54:13

led芯片的技术发展状况

随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极

  https://www.alighting.cn/resource/20130304/125965.htm2013/3/4 15:03:29

led外延片及芯片产品的质量控制

半导体照明产业是一个新兴产业,尤其是其上游led外延及芯片制造产业在中国更是近几年才迅猛发展起来,各led外延及芯片制造企业都是在企业发展的过程中,逐步探索质量控制的途径和方法。

  https://www.alighting.cn/2013/3/4 11:41:44

gan同质外延和竖直结构大功率led

北京大学的张国义整理的关于《gan同质外延和竖直结构大功率led》的技术资料,分享给大家。

  https://www.alighting.cn/resource/20130226/126001.htm2013/2/26 11:28:48

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