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详解led路灯的高效率电源驱动器系统设计

led路灯系统的高效率电源驱动器的设计,其首要的目的就是保证路灯的高频率工况,同时防止供电系统中的干扰侵入到路灯系统中而造成损坏。其次,利用多种复合电路和晶体管来提高供电过程

  https://www.alighting.cn/resource/20131101/125161.htm2013/11/1 11:05:49

德加科学家研发成功硅基led 彩色又高效

f toronto)的科研人员借助硅纳米晶体,成功制造出了高效的硅基发光二极管(sileds),该二极管不含重金属,却能够发射出多种颜色的

  https://www.alighting.cn/news/2013225/n938249205.htm2013/2/25 16:08:13

京东方合肥285亿联合投建生产线项目

8月14日,京东方科技集团股份有限公司与合肥市人民政府、巢湖城市建设投资有限公司签署了《合肥鑫晟光电科技有限公司薄膜晶体管液晶显示器件(tft-lcd)8.5代生产线项目投资框

  https://www.alighting.cn/news/20120816/114395.htm2012/8/16 10:46:30

生长温度对si衬底zno薄膜结构的影响

m)对其表面形貌和结构进行了测试和分析。通过测试分析得知,这些zno薄膜在生长温度400℃时能够获得较好的晶体结构,薄膜表面平整,晶粒均

  https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09

提高gan基led的光提取效率之激光剥离技术的研究

本论文主要围绕提高g8n基led的光提取效率之激光剥离技术以及基于激光剥离技术的垂直型gan基l即器件的制备进行研究。通过激光剥离并结合晶体键合技术,成功地将gan薄膜从蓝宝

  https://www.alighting.cn/2013/3/27 13:42:17

algan势垒层应变弛豫度对高al含量al_xga_(1-x)n/gan hemt性能的影响

采用数值算法自洽求解poisson和schr?dinger方程,计算了algan势垒层的应变弛豫度对高al含量algan/gan高电子迁移率晶体管(hemt)中的导带结构、电子浓

  https://www.alighting.cn/resource/20110816/127305.htm2011/8/16 14:21:55

微纳光学在led芯片中应用研究的综述

术,如通过在led芯片表面上加工粗糙微结构、led芯片表面双层微结构、二维光子晶体结构、双光栅结构等。介绍了通过各种加工技术对led芯片微纳光学结构的加工提高了芯片的外量子效率,从

  https://www.alighting.cn/resource/20140627/124485.htm2014/6/27 10:43:46

硅衬底gan基led研究进展

制及其它电子器件结构生长的一个关健问题。近年来, 随着工艺的发展, gan晶体质量得到大幅度的提高。同时不少研究小组成功地在si衬底上制造出led。介绍了gan薄膜开裂问题及近期硅衬

  https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47

美国商务部裁定中国光伏倾销幅度最高达249.96%

新华网华盛顿10月10日电 美国商务部10日作出终裁,认定中国向美国出口的晶体硅光伏电池及组件存在倾销和补贴行为,这基本为美国针对此类产品征收反倾销和反补贴关税(“双反”)扫

  https://www.alighting.cn/news/20121012/n366944544.htm2012/10/12 10:19:42

mocvd反应器中瞬态热流场的数值研究

在mocvd 反应器中外延异质结构的材料时,用来生长晶体的各组份和掺杂剂,都是以气态方式进入反应器的;该系统通过周期性地切换各种反应气体控制其流入量,在衬底上外延出特定组份、特

  https://www.alighting.cn/2012/4/9 17:29:55

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