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蓝宝石基片上制备双面tl_2ba_2cacu_2o_8超导薄膜

在蓝宝石基片上,以ceo2为缓冲层制备了高质量的双面tl2ba2cacu2o8(tl-2212)超导薄膜。以金属铈靶作为溅射源生长了c轴取向的ceo2缓冲薄膜,并对ceo2薄膜

  https://www.alighting.cn/resource/20110906/127193.htm2011/9/6 13:37:42

三安光电gan基薄膜led获美国专利证书

三安光电称,此发明可改善蓝宝石衬底上gan基外延晶格质量及提高gan基led取光效率,有效提升照明级白光led芯片亮度及技术水平。

  https://www.alighting.cn/news/20110914/115709.htm2011/9/14 9:20:32

el显示(薄膜型电致发光显示)技术

定的应用场合,该解决方案不仅能够保持传统el的优良特性,而且可以用颜色突出显示关键的信息。借助于独特的el显示技术,美国平达系统公司生产出了透明的el显示器。由于薄膜非常的薄,典型的后

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229938.html2011/7/17 23:25:00

船用tft-lcd显示器的加固技术研究

本文叙述的某系列船用显示器项目,始于20 世纪90 年代中期,按照当时技术条件,是以等离子体显示器进行装备的o pdp 的主要特点是:视角大,可达120~1600; 显示面积

  https://www.alighting.cn/2014/7/29 10:45:58

纳米zno薄膜对有机电致发光器件性能的影响

由于有机电致发光器件(organic light-emitting devices,oleds)的主动发光、高亮度等优点,在显示和照明领域有极大的应用前景。报道了纳米zno薄膜

  https://www.alighting.cn/resource/20110909/127166.htm2011/9/9 10:02:15

全息技术制作二维光子晶体蓝宝石衬底提高发光二极管外量子效率

属氧化物化学气相沉积(mocvd)技术在图形蓝宝石衬底(pss)上生长2μm厚的n型gan层,4层量子阱和200nm厚的p型gan层,形成led结构

  https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05

micro led关键技术发展方向分析

据最新报告1q17 micro led次世代显示技术市场会员报告显示,micro led关键技术发展方向涵盖四大面向,包含磊晶与芯片技术、转移技术、键结技术(bonding)、彩

  https://www.alighting.cn/pingce/20170122/147795.htm2017/1/22 10:11:03

膜层厚度对蓝宝石衬底上生长的ito薄膜性质的影响

采用磁控溅射的方法在蓝宝石衬底上制备了氧化铟锡(ito)透明氧化物薄膜;研究了不同厚度薄膜的结构、光学和电学特性。经x射线衍射(xrd)测量,发现在蓝宝石衬底上生长的ito薄膜

  https://www.alighting.cn/resource/20110909/127167.htm2011/9/9 9:52:23

n极性gan薄膜的mocvd外延生长

采用mocvd技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了n极性gan薄膜

  https://www.alighting.cn/2014/11/27 14:08:56

爱思强收购oled薄膜封装商plasmasi

4月8日,德国半导体行业沉积设备提供商爱思强(aixtron)宣布已收购了美国薄膜封装(tfe)开发商plasmasi,收购价格为1600万美元。

  https://www.alighting.cn/news/20150409/84245.htm2015/4/9 9:27:03

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