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apt-b5501ab倒装芯片[广州晶科]

产功率型氮化蓝led芯片和超大功率模组芯片(5w、10w、15w、30w等)为主。今天主要推荐:产品型号: apt-b5501ab-v www ll的1w 氮化蓝光led倒装芯

  https://www.alighting.cn/pingce/20101016/123235.htm2010/10/16 18:31:30

解读gan on gan led破效率与成本“魔咒”

目前工研院已成功建立高温常压磊晶机台,更已在gan on gan技术上深耕多年,从早期的hvpe氮化基板成长到目前的蓝紫光led磊晶技术,技术面皆已突破现今gan o

  https://www.alighting.cn/2013/11/5 9:56:22

台湾首例氮化铝投资 led成本降3成

台湾国立成功大学和金铝公司今天签约共同投资生产氮化铝,也是台湾第一个氮化铝产业;金铝公司表示,台湾氮化铝都是从外进口,自己产制后,氮化铝成本预计降低3成。

  https://www.alighting.cn/news/20091009/108314.htm2009/10/9 0:00:00

最新突破:led芯片抗反向静电能力达到3kv

韩国研究人员通过在led芯片中集成旁路二极管的方法将氮化led的抗反向静电能力提高到了3 kv.来自韩国光技术院(kopti) 和光州科学技术院的研究人员声称:“这种led芯

  https://www.alighting.cn/resource/20110706/127454.htm2011/7/6 11:12:35

聚灿光电订购爱思强crius ii-l系统生产外延片

德国爱思强股份有限公司于1月15日宣布,聚灿光电科技(苏州)有限公司向其订购多套crius ii-l系统,用于大批量生产氮化(gan)发光二极管(led)外延片。所订购系统每

  https://www.alighting.cn/news/20130116/112829.htm2013/1/16 10:52:45

广决议撤回上市申请案

近日,裕隆集团转投资led外延厂广2008年财报出炉,其每股盈余为1.46元新台币,由于目前市况不佳,公司决撤回上市申请,待股市好转后再重新申请上市。

  https://www.alighting.cn/news/20090219/118907.htm2009/2/19 0:00:00

台湾中央大学采用爱思强mocvd,用于6英寸硅基氮化外延生长

爱思强股份有限公司8月14日宣布,台湾中央大学向其订购一套新的mocvd系统。此次订购的1x6英寸爱思强近耦合喷淋头? mocvd系统,将用于在6英寸的硅基材上生长氮化外延结

  https://www.alighting.cn/news/20120815/114421.htm2012/8/15 11:48:41

晶电控告广专利侵权案判决出炉 广胜诉

9月21日,led芯片大厂晶电控告广专利侵权案判决出炉,法院宣判晶电主张专利无效,广获得胜利。

  https://www.alighting.cn/news/20090922/119162.htm2009/9/22 0:00:00

led散热新方案,氮化硼成为关键材料

针对led的散热问题,led产业的许多先进解决方案中,处处采用了一种关键性材料-氮化硼(boron nitride,bn),该材料具有高绝缘性、高导热性、高润滑性、耐高温和不沾

  https://www.alighting.cn/news/20070614/106033.htm2007/6/14 0:00:00

led相关材料成“十二五”新材料发展重点

半导体材料作为新材料发展重点之一,将以高纯度、大尺寸、低缺陷、高性能和低成本为主攻方向,逐步提高关键材料自给率。开发电子级多晶硅、大尺寸单晶硅、抛光片、外延片等材料,积极开发氮化

  https://www.alighting.cn/news/20120228/99663.htm2012/2/28 14:18:57

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