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提高led显示屏发光效率的几个技术因素

目前,国内大部分的外延芯片企业涉及到led显示屏的领域,显示屏领域成为国内led芯片企业的重要的应用终端,那么如何提高led显示屏的发光效率成为一个重要的课题。

  https://www.alighting.cn/resource/20110907/127181.htm2011/9/7 17:10:36

蓝宝石基片上制备双面tl_2ba_2cacu_2o_8超导薄膜

在蓝宝石基片上,以ceo2为缓冲层制备了高质量的双面tl2ba2cacu2o8(tl-2212)超导薄膜。以金属铈靶作为溅射源生长了c轴取向的ceo2缓冲薄膜,并对ceo2薄膜进

  https://www.alighting.cn/resource/20110906/127193.htm2011/9/6 13:37:42

双波长ingan/gan多量子阱发光二极管的光电特性

为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的ingan/gan多量子阱发光二极管结构.通过对不同in组

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127201.htm2011/9/5 9:53:39

全息技术制作二维光子晶体蓝宝石衬底提高发光二极管外量子效率

为了提高gan基发光二极管(led)的外量子效率,在蓝宝石衬底制作了二维光子晶体.衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息技术和感应耦合等离子体(icp)干法刻蚀技术制作,然后采用金

  https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05

淀积在不同小倾角蓝宝石衬底的n型gan的研究

采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°—0.3°)的蓝宝石衬底上外延n型gan.通过原子力显微镜观察到n型gan均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的n型gan表

  https://www.alighting.cn/resource/20110831/127219.htm2011/8/31 16:42:02

aln/蓝宝石模板上生长的gan研究

研究了在分子束外延制备的aln/蓝宝石模板上采用金属有机物化学气相外延生长的非故意掺杂gan的材料性质.采用x射线衍射(xrd)、透射电镜(tem)和原子力显微镜研究了aln模

  https://www.alighting.cn/resource/20110830/127233.htm2011/8/30 13:29:11

al_2o_3/si(001)衬底上gan外延薄膜的制备

利用低压金属有机物化学气相沉积方法在al2 o3 /si( 0 0 1 )衬底上制备出了六方结构的gan单晶薄膜 .厚度为 1 .1 μm的gan薄膜的 ( 0 0 0 2 )

  https://www.alighting.cn/resource/20110815/127311.htm2011/8/15 17:59:24

金属卤化物灯用镇流器能效限定值及能效等级

金属卤化物灯用镇流器能效限定值及能效等级》规定了金属卤化物灯用镇流器能效限定值、节能评价值、能效等级、检验与计算方法和检验规则。《金属卤化物灯用镇流器能效限定值及能效等级》适

  https://www.alighting.cn/resource/2011/8/12/165248_65.htm2011/8/12 16:52:48

大功率led的封装及其散热基板研究

从解决大功率发光二极管散热和材料热膨胀系数匹配的角度,介绍了几种典型的封装结构及金属芯线路板(mcpcb) 的性能,并简要分析了其散热原理。

  https://www.alighting.cn/resource/2011/8/1/14528_51.htm2011/8/1 14:52:08

金属卤化物灯用镇流器节能认证规则

金属卤化物灯用镇流器节能认证规则》适用于金属卤化物灯用镇流器的节能认证。适用范围:额定电压220v、频率50hz交流电源,额定功率为175w~1500w的单端金属卤化物灯用l

  https://www.alighting.cn/resource/2011/7/26/183829_89.htm2011/7/26 18:38:29

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