检索首页
阿拉丁已为您找到约 117条相关结果 (用时 0.1256627 秒)

产综研开发出金刚石led400℃高温下亦可使用

产业技术综合研究所开发出了用金刚石作半导体的深紫外led。详细内容将在应用物理学会举办的09年春季的“第56届应用物理学联合演讲会”(3月30日~4月2日,筑波大学)上发布(演

  https://www.alighting.cn/news/20090330/120206.htm2009/3/30 0:00:00

美国国家半导体裁员闭厂,以削减成本确保利润

近日,半导体厂商美国国家半导体(national semiconductor)在当地时间2009年3月11日宣佈,将在全球裁员约1700人。该公司表示,将随销售额减少削减成本,以确

  https://www.alighting.cn/news/20090317/108163.htm2009/3/17 0:00:00

青岛研制首台半导体照明关键设备

由青岛杰生电气有限公司承担的国家“863”半导体照明工程重点项目“氮化镓-mocvd深紫外led材料生长设备”制造取得重大突破,有关人员研制成功了我国首台具有自主知识产权的、能

  https://www.alighting.cn/news/20080521/104178.htm2008/5/21 0:00:00

日本大厂同和电子开发出深紫外led芯片实现全球最高输出功率

近日,日本大厂同和电子(dowa electronics)宣佈,开发成功了发光波长为325~350nm的深紫外led芯片。比目前市售的紫外led发光波长短,实现了该波长范围全球最

  https://www.alighting.cn/news/20080521/105650.htm2008/5/21 0:00:00

业者称开发出该波长最高输出功率水平led

同和电子(dowa electronics)宣布,开发成功了发光波长为325~350nm的深紫外led。该产品比目前市售的紫外led发光波长短,实现了该波长范围全球最高水平的输

  https://www.alighting.cn/news/20080520/120331.htm2008/5/20 0:00:00

「氮化鎵-mocvd深紫外led材料生长设备」在青岛研制成功

中国国家「863」半导体照明工程重点专案「氮化鎵-mocvd深紫外led材料生长设备」制造取得重大突破,研制成功了大陆首台具有自主知识产权的、能够同时生长6片led外延

  https://www.alighting.cn/news/20080414/93175.htm2008/4/14 0:00:00

我国首台半导体照明关键设备青岛问世

由青岛杰生电气有限公司承担的国家"863"半导体照明工程重点项目"氮化镓-mocvd深紫外led材料生长设备"制造取得重大突破,研制成功了我国首台具有自主知识产权的、能够同时生长

  https://www.alighting.cn/news/200847/V15016.htm2008/4/7 10:14:29

首页 上一页 5 6 7 8 9 10 11 12