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led外延(外延)的成长工艺

今天来探讨led外延的成长工艺,早期在小积体电路时代,每一个6吋的外延上制作数以千计的芯,现在次微米线宽的大型vlsi,每一个8吋的外延上也只能完成一两百个大型芯。外延

  https://www.alighting.cn/news/20080703/91561.htm2008/7/3 0:00:00

ats发布star系列散热

1月17日,来自美国马萨诸塞州伍德市的advanced thermal solutions公司发布了一款采用高冷却能力设计的star系列散热,用于安装在功率led封装产品表

  https://www.alighting.cn/news/20080123/118900.htm2008/1/23 0:00:00

led的外延生长技术介绍

目前商业化生产采用的是两步生长工艺,但一次可装入衬底数有限,6机比较成熟,20左右的机台还在成熟中,数较多后导致外延均匀性不够。发展趋势是两个方向:一是开发可一次在反应室

  https://www.alighting.cn/resource/20100727/128331.htm2010/7/27 13:17:38

led的外延生长技术介绍

目前商业化生产采用的是两步生长工艺,但一次可装入衬底数有限,6机比较成熟,20左右的机台还在成熟中,数较多后导致外延均匀性不够。发展趋势是两个方向:一是开发可一次在反应室

  https://www.alighting.cn/news/2010531/V23876.htm2010/5/31 9:04:18

高科超薄晶体霓虹发光的原理及应用

当高科超薄晶体霓虹发光的两极间通电后,发光层内就建立了电场,电子在电场的作用下逆电场方向加速运动,当电场强度足够强,运动状态电子数量足够多,速度足够快时,通过碰撞,发光材料电

  https://www.alighting.cn/resource/200759/V12521.htm2007/5/9 17:19:58

高科超薄晶体霓虹发光的原理及应用

当高科超薄晶体霓虹发光的两极间通电后,发光层内就建立了电场,电子在电场的作用下逆电场方向加速运动,当电场强度足够强,运动状态电子数量足够多,速度足够快时,通过碰撞,发光材料电

  https://www.alighting.cn/news/200759/V12521.htm2007/5/9 17:19:58

硅基gan蓝光led外延材料转移前后性能

利用外延焊接技术,把si(111)衬底上生长的gan蓝光led外延材料压焊到新的si衬底上.在去除原si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构gan蓝光led.与外延材料未转

  https://www.alighting.cn/resource/20130422/125688.htm2013/4/22 13:10:12

led封装新趋势:关于成本、性能及可靠性探讨

除了成本的要求,终端市场对led提出的要求还有性能和可靠性。那作为封装厂应该怎么做到成本,性能和可靠性的平衡?

  https://www.alighting.cn/news/20150619/130279.htm2015/6/19 9:19:08

led导热硅胶 散热硅胶

法涂抹均匀。散热铜敷板和散热或金属支架、金属外壳的接触,现在很多led厂家使用我公司提供的软性硅胶导热,可以大面积的铺垫,操作方便.最薄的是0.5mm,厚度可选择,1.0mm

  http://blog.alighting.cn/superdz/archive/2010/3/31/39206.html2010/3/31 17:06:00

led模块性能的iec规范研究

led模块性能的iec规范研究:随着半导体照明产业的发展,led模块性能考核标准越来越受到关注。本文主要对2010年第74届iec会议提出的pas“普通照明用led模块性能要求

  https://www.alighting.cn/resource/2011/3/24/14725_83.htm2011/3/24 14:07:25

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