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gan功率LED电应力老化早期的退化特性

对ingan/gan多量子阱蓝光和绿光LED进行了室温900 ma电流下的电应力老化,发现蓝光LED老化到24 h隧穿电流最小,绿光LED到6 h隧穿电流最小;同时,两种le

  https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:40:42

激光剥离技术实现垂直结构ganLED

石衬底剥离, 结合金属熔融键合技术, 在300℃中将gan LED 转移至高电导率和高热导率的衬底, 制备出了具有垂直结构的gan LED, 并对其电学和光学特性进行了测

  https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48

钻石底碳化 LED的梦幻材(上)

碳化(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。

  https://www.alighting.cn/resource/20110714/127427.htm2011/7/14 17:29:12

科学家制成彩色高效发光二极管

来自德国卡尔斯鲁厄理工学院(kit)和加拿大多伦多大学的科研人员借助纳米晶体,成功制造出了高效的发光二极管(siLEDs),其不含重金属,却能够发射出多种颜色的光。

  https://www.alighting.cn/news/2013221/n577249058.htm2013/2/21 9:24:53

衬底LED照明暂未发现物理瓶颈

当然gan与si 衬底之间存在热失配、晶格失配等问题,很容易出现龟裂现象,要在衬底上生长高质量的氮化LED确实是一个严峻的挑战。在这方面处于世界前列的晶能光电认为,

  https://www.alighting.cn/news/20111117/90028.htm2011/11/17 10:11:23

氮化低维纳米结构的制备与表征

主要是以氧化为原料,通过气相沉积法,制备出gan纳米线和纳米带.通过x-射线衍射(xrd),扫面电镜(sem)和高分辨透射电镜(hrtem)等测试手段对其形貌进行了表征和分析

  https://www.alighting.cn/resource/20130521/125588.htm2013/5/21 10:42:04

电子束辐照对ganLED发光性能的影响

研究了不同能量的电子束辐照对gan发光二极管(light emitting diode,LED)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对ganLED外延片进

  https://www.alighting.cn/2012/9/18 19:09:14

氮化植于石墨烯可制成弯曲LED材料

这项成果无疑是一项重大技术突破,也为下一代电子和光电器件找到了大规模、低成本工业化生产的可能手段。而石墨烯薄膜在材料领域的广泛应用,也将会催生更多强强联合的卓越材料,拉近我们与新时

  https://www.alighting.cn/news/2014928/n777666009.htm2014/9/28 9:27:04

德国研制低成本、高亮度的室内LED照明新工艺

目前LED技术主要用于生产汽车尾灯、交通灯和显示器,用于室内照明成本还是太高,主要原因是生产LED灯常用的蓝宝石板和氮化外延层价格昂贵,发光面积也受限制。

  https://www.alighting.cn/pingce/20110222/122990.htm2011/2/22 9:31:35

外企预测:2013年氮化设备市场将稳健成长

美国市场调研公司strategies unlimited 最新发布的一项报告显示,由于市场上对蓝紫色激光二极管、uv LED和其它设备的需求日益增长,这将使得先进衬底技术。

  https://www.alighting.cn/news/20090602/104761.htm2009/6/2 0:00:00

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