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本文档介绍的是一款高功率因素、可控硅调光的led驱动器，它可以再90vac至265vac的输入电压范围内为led灯串提供额定电压28v、额定电流0.5a的驱动。该led驱动器采
https://www.alighting.cn/resource/2013/9/4/144227_50.htm2013/9/4 14:42:27
本文系统研究了ni覆盖层厚度及退火温度对硅衬底gan基led薄膜p型欧姆接触的影响，在不需二次退火的情况下获得了高性能的p型欧姆接触层。
https://www.alighting.cn/resource/2013/9/3/175434_16.htm2013/9/3 17:54:34
自上世纪90年代初中村修二发明高亮度蓝光led以来，基于gan基蓝光led和黄色荧光粉组合发出白光方式的半导体照明技术在世界范围内得到了广泛关注和快速发展。迄今为止，商品化白光le
https://www.alighting.cn/resource/20130830/125359.htm2013/8/30 17:48:20
本文是针对大功率led封装器件散热性能的影响因素，重点利用有限元anays软件模拟分析了环境温度、芯片衬底、光电转换效率、导热胶、介电层厚度和空气对流系数等对led封装散热效
https://www.alighting.cn/resource/2013/8/29/151932_67.htm2013/8/29 15:19:32
附件为舞台灯光照明设计图，包括灯光硅箱线路分配图、平面分布图等。欢迎下载参考!
https://www.alighting.cn/resource/2013/8/28/155444_30.htm2013/8/28 15:54:44
本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖
https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01
利用硅压阻力学芯片传感器作为原位监测的载体,研究了直接粘贴芯片的封装方式中,芯片在基板上的不同位置对于封装后残余应力的影响以及在热处理过程中残余应力的变化,发现粘贴在基板靠近
https://www.alighting.cn/resource/20130826/125380.htm2013/8/26 14:04:58
传统的氮化镓(gan)led元件通常以蓝宝石或碳化硅(sic)为衬底，因为这两种材料与gan的晶格匹配度较好，衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6
https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42
为了降低si衬底gan基led的开启电压及工作电压，本文提出了一种新型通孔结构发光二级管，并提出一种电路有限元模型，分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况。
https://www.alighting.cn/2013/8/20 13:57:10
倒装芯片的实质是在传统工艺的基础上，将芯片的发光区与电极区不设计在同一个平面这时则由电极区面朝向灯杯底部进行贴装，可以省掉焊线这一工序，但是对固晶这段工艺的精度要求较高，一般很难达
https://www.alighting.cn/resource/20130816/125401.htm2013/8/16 10:03:48
