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多芯片封装发光二极专利介绍

多芯片封装发光二极的技术是:即再一个器件内(可以是圆,方,矩,长条形,椭圆等几何形状)封装几十,几百,至上千个led芯片,封装的芯片可以是常用的8—15mil小芯片,也可以是0

  https://www.alighting.cn/resource/20080624/128604.htm2008/6/24 0:00:00

中国科学家设计出新型量子点发光二极

二极就是电激发的发光器

  https://www.alighting.cn/news/20150123/97149.htm2015/1/23 9:30:15

激光剥离技术实现垂直结构ganled

为改善gan 发光二极的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度为400mj/ cm2 的条件下, 将gan led 从蓝宝

  https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48

沈阳浑南新区1亿美元发光二极项目落户

日前,一期投资1亿美元的发光二极项目落户沈阳浑南新区。

  https://www.alighting.cn/news/20060914/102955.htm2006/9/14 0:00:00

日本成功开发出嵌入锗量子点的led

近日,日本东京都市大学综合研究所纳米科学研究中心成功开发出采用锗(ge)量子点的发光元件。

  https://www.alighting.cn/news/20100526/105710.htm2010/5/26 0:00:00

衬底ganled研究进展

由于具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力,gan/si器件成为一个研究热点。然而, gan与si之间的热失配容易引起薄膜开裂这是限

  https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47

昭和电工购入爱思强系统进军150mm碳化市场

2012年8月30日——爱思强股份有限公司今天宣布,昭和电工(日本,秩父)在其现有爱思强设备础上,增购一套热壁碳化化学气相沉积行星式反应器。

  https://www.alighting.cn/news/20120831/113006.htm2012/8/31 14:19:03

比利时采用氮化鎵开发大功率白光led

日前,比利时研究中心(imec)推出一项联合开发计划(iiap:industrial affiliation program),目标是降低氮化鎵(gan)技术成本,采用大直径的

  https://www.alighting.cn/news/20090813/93153.htm2009/8/13 0:00:00

照明丛书:半导体发光二极及固体照明

本书系统地介绍有关白发光二极的制造方法及固体照明。本书内容详细丰富,包括固体照明概述,发光二极光取出原理及方法。附件为《半导体发光二极及固体照明》pdf,欢迎大家下载学习!

  https://www.alighting.cn/resource/20150319/83615.htm2015/3/19 19:37:57

ganled外延材料缺陷对其器件可靠性造成的影响

采用x光双晶衍射仪分析了gan发光二极外延材料晶体结构质量并制成gan2led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan2led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1058.htm2010/1/18 11:18:27

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