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淀积在不同小倾角蓝宝石衬底的n型gan的研究

采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°—0.3°)的蓝宝石衬底上外延n型gan.通过原子力显微镜观察到n型gan均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的n型gan表

  https://www.alighting.cn/resource/20110831/127219.htm2011/8/31 16:42:02

aln/蓝宝石模板上生长的gan研究

研究了在分子束外延制备的aln/蓝宝石模板上采用金属有机物化学气相外延生长的非故意掺杂gan的材料性质.采用x射线衍射(xrd)、透射电镜(tem)和原子力显微镜研究了aln模

  https://www.alighting.cn/resource/20110830/127233.htm2011/8/30 13:29:11

al_2o_3/si(001)衬底上gan外延薄膜的制备

利用低压金属有机物化学气相沉积方法在al2 o3 /si( 0 0 1 )衬底上制备出了六方结构的gan单晶薄膜 .厚度为 1 .1 μm的gan薄膜的 ( 0 0 0 2 )

  https://www.alighting.cn/resource/20110815/127311.htm2011/8/15 17:59:24

金属卤化物灯用镇流器能效限定值及能效等级

金属卤化物灯用镇流器能效限定值及能效等级》规定了金属卤化物灯用镇流器能效限定值、节能评价值、能效等级、检验与计算方法和检验规则。《金属卤化物灯用镇流器能效限定值及能效等级》适

  https://www.alighting.cn/resource/2011/8/12/165248_65.htm2011/8/12 16:52:48

大功率led的封装及其散热基板研究

从解决大功率发光二极管散热和材料热膨胀系数匹配的角度,介绍了几种典型的封装结构及金属芯线路板(mcpcb) 的性能,并简要分析了其散热原理。

  https://www.alighting.cn/resource/2011/8/1/14528_51.htm2011/8/1 14:52:08

金属卤化物灯用镇流器节能认证规则

金属卤化物灯用镇流器节能认证规则》适用于金属卤化物灯用镇流器的节能认证。适用范围:额定电压220v、频率50hz交流电源,额定功率为175w~1500w的单端金属卤化物灯用l

  https://www.alighting.cn/resource/2011/7/26/183829_89.htm2011/7/26 18:38:29

提高大功率led散热和出光封装材料的研究

装互连材料在提高大功率led散热和出光方面所具有的重要影响。讨论了芯片粘结材料、荧光粉、灌封胶、散热基板等。分析了导热胶、银浆和合金钎料、陶瓷基板、金属基板、复合基板, 讨论了对出

  https://www.alighting.cn/resource/2011/7/26/15457_67.htm2011/7/26 15:04:57

腐蚀时间对蓝宝石衬底上外延生长gan质量的影响

使用熔融的koh在高温下对c面蓝宝石衬底进行不同时间的腐蚀,借助扫描电镜、原子力显微镜对衬底表面进行了表征,然后利用金属有机物化学气相沉积设备在不同腐蚀时间的衬底样品上进行了ga

  https://www.alighting.cn/resource/20110722/127401.htm2011/7/22 15:10:39

蓝宝石图形衬底上生长gan的微区拉曼光谱研究

采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上gan材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力。采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表征

  https://www.alighting.cn/resource/20110721/127408.htm2011/7/21 17:03:55

flip chip led(倒装芯片)简介

p chip的电流密度。同时这种结构还可以将pn结的热量直接通过金属凸点导给热导系数高的硅衬底(为145w/mk),散热效果更优;而且在pn 结与p电极之间增加了一个反光层,又消

  https://www.alighting.cn/resource/20110718/127423.htm2011/7/18 15:14:26

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