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基于cpld的led芯片光谱采集系统的研究

led芯片的光谱检测是led芯片规模化制造的一项关键技术。根据光谱测量原理,针对led芯片光谱测量应用的要求,文章研究了基于复杂可编程逻辑器件的led芯片光谱采集系统。

  https://www.alighting.cn/2014/7/9 10:40:36

倒装技术支持的led多芯片模组

在2007led最新技术与照明应用(广州)国际论坛上,晶科电子(广州)有限公司陈海英就倒装技术支持的led多芯片模组--大功率led照明的实现方案,发表了精彩的演讲。详细内容请下

  https://www.alighting.cn/resource/20071210/V168.htm2007/12/10 16:50:17

基于mems的led芯片封装的光学特性分析

本文提出了一种基于mems的led芯片封装技术,利用体硅工艺在硅基上形成的凹槽作为封装led芯片的反射腔。分析了反射腔对led的发光强度和光束性能的影响,分析果表明该反射腔可

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1065.htm2010/1/18 14:49:11

led的发热原因及散热解决研究

目前led的发光效率还是比较低,从而引起温升高,寿命降低。为了降低温以提高寿命就必须十分重视散热的问题。

  https://www.alighting.cn/2013/3/22 15:27:05

倒装芯片键合技术

附件是刘章生老师在论坛上所作的《倒装芯片键合技术》的主题演讲,欢迎下载参考!

  https://www.alighting.cn/resource/2013/12/6/102432_70.htm2013/12/6 10:24:32

国产大功率led芯片的封装性能

简单介绍了目前国内大功率led芯片的现状,对部分产品进行了详细的封装研究,果显示,国产芯片在光效方面提升迅速,最高已达110 lm/w,主流水平位于90~100 lm/w之

  https://www.alighting.cn/resource/20110913/127157.htm2011/9/13 14:15:45

国产大功率led芯片的封装性能

简单介绍了目前国内大功率led芯片的现状,对部分产品进行了详细的封装研究,果显示,国产芯片在光效方面提升迅速,最高已达110 lm/w,主流水平位于90~100 lm/w之

  https://www.alighting.cn/resource/20110829/127236.htm2011/8/29 17:13:56

芯片制造-半导体工艺制程实用教程》

本文为半导体芯片制造工艺制程方面的的教程,读者阅读以后可以对led芯片制程的有所了解,推荐大家下载《芯片制造-半导体工艺制程实用教程》。

  https://www.alighting.cn/2011/9/19 17:34:39

led散热失败原因为何?

led照明中,无论是什么种类,什么品质,都逃不开散热问题。led照明散热失败能够导致很多不必要的情况发生,造成的损失不可估量。那么led散热成败的关键在哪?失败的原因是什么?答案就

  https://www.alighting.cn/2015/3/9 13:31:28

技术突破:mos管封装能效限制解除法门

本篇文章主要对目前mos封装当中存在的一些限制进行了介绍,并提出了改善的必要性。

  https://www.alighting.cn/resource/20150306/123508.htm2015/3/6 14:24:23

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