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在si衬底上生长了gan基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板gan基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大
https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39
自上世纪90年代初中村修二发明高亮度蓝光led以来，基于gan基蓝光led和黄色荧光粉组合发出白光方式的半导体照明技术在世界范围内得到了广泛关注和快速发展。迄今为止，商品化白
https://www.alighting.cn/resource/2013/5/29/16025_26.htm2013/5/29 16:00:25
通过本报告的分析，可以看出中村修二先生在蓝光led、半导体照明及其他氮化物半导体材料器件上引领着技术的发展方向，做出了一系列关键性的贡献，被誉为“蓝光之父”。因此，掌握中村修二教
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:03:09
利用外延片焊接技术,把si(111)衬底上生长的gan蓝光led外延材料压焊到新的si衬底上.在去除原si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构gan蓝光led.与外延材料未转
https://www.alighting.cn/resource/20130422/125688.htm2013/4/22 13:10:12
被蓝光和紫外芯片有效激发而发出红光，既可以用作“蓝+黄”模式的白光led的补光粉，也可以作为紫外芯片激发的红色荧光
https://www.alighting.cn/resource/20130415/125728.htm2013/4/15 11:13:54
通过对高功率ingan(蓝)led倒装芯片结构+yag荧光粉构成白光led的分析,可以得出这种结构能提高发光效率和散热效果的结论。通过对白光led的构成和电流/温度/光通量的分析,
https://www.alighting.cn/2013/4/10 13:07:29
对ingan/gan多量子阱蓝光和绿光led进行了室温900 ma电流下的电应力老化,发现蓝光led老化到24 h隧穿电流最小,绿光led到6 h隧穿电流最小;同时,两种le
https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:40:42
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了p层厚度即p
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48
根据iec 62471:2006灯和灯系统的光生物安全性标准的要求，针对检测过程中的问题，主要分析测量视场、测试距离与方向、眼睛运动、小光源蓝光等几个方面。
https://www.alighting.cn/2013/4/2 16:28:29
