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探究矽gan基led技术与前景

目前市场上led用到的材料有蓝宝石、碳化矽sic、矽si、氧化锌 zno、 以及氮化镓gan,中国市场上99%的材料是蓝宝石,而就全球范围来看,蓝宝石的led市场份

  https://www.alighting.cn/2013/2/18 14:09:56

外延生长|磊晶(epitaxial growth)

在合适的基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。用于制作没有杂质和缺陷的结晶层。包括在基片上与气体发生反应以积累结晶层的vpe(气相生长)法、以及与溶液相互接触以生长结晶

  https://www.alighting.cn/resource/20130201/126068.htm2013/2/1 16:14:51

用于微机电系统的类金刚石膜制备及表征

采用等离子体源离子注入和电子回旋共振-微波等离子体辅助化学气相沉积技术相结合的方法在si上制备出子性能良好的类金剐石膜.通过共聚焦raman光谱验证亍薄膜的类金刚石特性,用原

  https://www.alighting.cn/2013/2/1 14:17:59

氧气流量对脉冲激光沉积zno薄膜的形貌及光学性质影响

使用脉冲激光沉积(pld)方法在石英(sio2)和单晶si(111)基底上制备了具有高c轴择优取向的zno薄膜。测试结果显示:在30~70sccm氧气流量范围内,氧气流量50scc

  https://www.alighting.cn/resource/20130128/126105.htm2013/1/28 13:14:42

led|基板(substrate)

通俗来讲,led和半导体激光器等的发光部分的半导体层,是在基板上生长结晶而成。采用的基板根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色 led等gan类半导体材料的le

  https://www.alighting.cn/resource/20130128/126108.htm2013/1/28 9:55:40

采用mocvd方法在gaas上生长zno(002)和zno(100)薄膜

采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的表面处理条件和生长温度下,在gaas上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10

  https://www.alighting.cn/resource/20130123/126124.htm2013/1/23 14:41:54

不同温度下pld 法制备的氧化锌薄膜的特性

利用gcr170型脉冲激光器nd:yag 的三次谐波(355nm),以蓝宝石al2o3(0001)为,在不同温度下采用脉冲激光沉积法制备了zno 薄膜.通过原子力显微镜

  https://www.alighting.cn/resource/20130123/126125.htm2013/1/23 14:07:10

不同生长zno薄膜的结构与发光特性研究

采用射频磁控溅射方法分别在蓝宝石(al2o3)(0001)和硅(100)上制备zno薄膜.通过x-光衍射测量与分析表明两者都沿c轴方向生长,在al2o3上的zno薄膜结

  https://www.alighting.cn/resource/20130123/126126.htm2013/1/23 13:45:44

玻璃和柔性上氧化铟锡薄膜特性的对比研究

对采用磁控溅射方法生长在玻璃和柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)塑料上的氧化铟锡(ito)薄膜的结构、光学和电学特性进行了对比研究。实验结果证明,完全可以采用磁控溅射的方法在柔性

  https://www.alighting.cn/resource/20130123/126128.htm2013/1/23 10:29:32

pss(patterned sapphire substrate)

pss最近受到热捧,pps的可以有效减少gan外延材料的位元错密度,从而减小有源区的非辐射复合,提升内量子效率,减小反向漏电流,提高led的寿命;另一方面有源区发出的光,

  https://www.alighting.cn/resource/20130117/126148.htm2013/1/17 20:11:08

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