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采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan2led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan2led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1058.htm2010/1/18 11:18:27
到不断改进。通过对晶体生长的各种实验测定了最佳的器件参数。用这个生产线生产的led器件的外部量子效率到目前为止是世界上最高的，双异质结(dh)结构的效率值达21
https://www.alighting.cn/resource/20091228/V22368.htm2009/12/28 15:27:58
r)结构，改变led基底几何外形来改变光在led内部反射的路径和表面粗化处理以及新近的光子晶体技术和全息技术等。并对纳米压印与su8相结合技术在提高led外量子光效益方面进行了初步探
https://www.alighting.cn/resource/2009914/V937.htm2009/9/14 15:26:35
罗切斯特大学与柯达公司的研究人员近日宣称他们研发出了一种新的纳米发光晶体材料，这种材料能在吸收能量后持续保持发光状态，而不是像以前那样将能量通过发热方式耗散掉。该材料有望应用于高
https://www.alighting.cn/resource/20090512/128693.htm2009/5/12 0:00:00
在向大功率、高亮度led的最大光提取效率迈进时，飞利浦lumileds公司（位于加拿大圣何塞市）与飞利浦research公司（位于荷兰艾恩德霍文市）的研究人员研制出一种使用电子晶
https://www.alighting.cn/resource/20090324/128677.htm2009/3/24 0:00:00
led( light emitting diode，发光二极管）的光电转换效能高，其基本结构是一块电致发光的半导体晶体，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，作为保护内
https://www.alighting.cn/resource/20090323/128849.htm2009/3/23 0:00:00
g)技术直接在碳化硅(sic)基板上刻出凹槽(trenches)，再利用旋转涂布法将半导体纳米晶体或荧光粉等荧光材料填入凹槽中，在凹槽间形成一个凸面桥，这个方法可以让白光led变得更
https://www.alighting.cn/resource/20081229/128651.htm2008/12/29 0:00:00
件，它将外来的原子掺进晶体里，而该原子可以释放（n型掺杂）或吸收一个电子（p型掺杂）。这样就在固体内部创造一个空
https://www.alighting.cn/resource/20081216/128644.htm2008/12/16 0:00:00
ns公司的lm3431集成了3路线性电流控制器和升压开关控制器,非常适合用来驱动led背景光.lm3431能驱动3个外接npn晶体管或mosfet,向3路led串提供高精度的恒
https://www.alighting.cn/resource/2008113/V645.htm2008/11/3 10:50:43
阿尔卑斯电气开发出了采用光子晶体结构、将光通量提高了约42％的gan类led，并在“alps show 2008”（2008年9月25～26日）上展出。发光波长为510.7n
https://www.alighting.cn/resource/20081004/128618.htm2008/10/4 0:00:00
