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目前，国内大部分的外延芯片企业涉及到led显示屏的领域，显示屏领域成为国内led芯片企业的重要的应用终端，那么如何提高led显示屏的发光效率成为一个重要的课题。
https://www.alighting.cn/resource/20110907/127181.htm2011/9/7 17:10:36
采用真空热蒸镀技术,在不同的掺杂浓度下,制备了4种双异质型结构的蓝色有机电致发光器件(oled),其结构为ito/cupc(30 nm)/npb(40 nm)/tpbi(30 n
https://www.alighting.cn/2013/5/28 14:15:17
实验结果表明,中间层的加入促进了发光层中电子和空穴的平衡并抑制了发光层之间的能量转移。加入适当厚度的中间层之后,器件的性能得到了明显的提升,相比于无中间层器件,最高电流效率由3
https://www.alighting.cn/2015/2/5 10:40:43
以2009年韩国三星电子的边缘发光型led背照灯液晶电视的问世为契机，led的采用原因从原来的“重视高画质”转向了运用超薄优势的“重视设计性”。
https://www.alighting.cn/resource/20100427/128399.htm2010/4/27 0:00:00
采用高温固相法制备了nay(wo4)2:eu3+发光材料。分别用x射线粉末衍射(xrd)、发光光谱(pl)等手段研究了发光粉的晶体结构以及发光性能。
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125766.htm2013/4/3 10:59:23
由于有机电致发光器件(organic light-emitting devices,oleds)的主动发光、高亮度等优点,在显示和照明领域有极大的应用前景。报道了纳米zno薄膜
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127166.htm2011/9/9 10:02:15
本文对大功率发光二极管（led）照明灯具的灯具效率进行分析是设计灯具时必须完成的一项工作。led灯具和使用传统光源灯具的光学设计方式是不同的，如何利用led光源自身的特点来提
https://www.alighting.cn/resource/20091127/V1025.htm2009/11/27 14:42:08
目前普遍认为蓝移是in组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因，然而实验发现高in组分没有出现峰位蓝移，产生这一异常现象的原因主要是因为高in组分造成的势起伏较大，在80k
https://www.alighting.cn/2015/3/13 10:02:28
好.光致发光测量表明,不同衬底上生长的zno薄膜表现出明显不同的发光行为
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126126.htm2013/1/23 13:45:44
《高压发光二极管(hv led)芯片开发及产业化》通过对普通蓝宝石衬底外延生长、芯片微晶粒分立阵列及微晶粒间电极桥接等多种技术手段的研究，制备出正装高压发光二极管(hv le
https://www.alighting.cn/resource/2011/6/20/162618_06.htm2011/6/20 16:26:18
