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大功率led封装比较:k1导线架与陶瓷封装

随着单位亮度不断增加,led在照明领域的应用愈来愈广。为了持续增加led的亮度,提高单颗磊芯片的面积以及使用功率势不可免,但如此一来亦拌随着高热量的产生。

  https://www.alighting.cn/resource/20110415/127743.htm2011/4/15 15:10:42

改善着色照明设备专用特种陶瓷的配料及生产工艺

改善着色照明设备专用特种陶瓷的配料及生产工艺

  https://www.alighting.cn/resource/200729/V11528.htm2007/2/9 10:48:26

led散热陶瓷低成本之高功率led封装技术

为了解决热效应的问题,封装材料逐渐由fr4转变为mcpcb再升级成陶瓷材料,因陶瓷材料除了与led具有匹配的膨胀系数、良好的热与化学稳定性,还具有优异的绝缘耐压特性,所以最适合用

  https://www.alighting.cn/resource/20110415/127741.htm2011/4/15 15:27:57

gan功率型led芯片散热性能的测试与分析

与正装led相比,倒装焊芯片技术在功率型led的散热方面具有潜在的优势。对各种正装和倒装焊功率型led芯片的表面温度分布进行了直接测试,对其散热性能进行了分析。研究表明,焊接层的材

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1059.htm2010/1/18 11:25:13

gan倒装焊led芯片的光提取效率模拟与分析

研究结果表明:采用较厚的蓝宝石衬底喝引入ain缓冲层均有利于led光提取效率的提高。

  https://www.alighting.cn/resource/20141027/124165.htm2014/10/27 11:29:03

gan led及光萃取技术实现高性价比照明

传统的氮化镓(gan)led元件通常以蓝宝石或碳化硅(sic)为衬底,因为这两种材料与gan的晶格匹配度较好,衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6"

  https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42

p层厚度对sigan垂直结构led出光的影响

利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了p层厚度即p面金

  https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48

led倒装技术及工艺

近年来led在电视机背光、手机、和平板电脑等方面的应用也迎来了爆发式的增长,led具有广阔的应用发展前景。

  https://www.alighting.cn/2015/3/17 10:03:10

详解:陶瓷led芯片散热板种类及其特性对比

近年来,陶瓷的优良绝缘性与散热效率促使得led照明进入了新瓷器时代。led 散热技术随着高功率led产品的应用发展,已成为各家业者相继寻求解决的议题。

  https://www.alighting.cn/resource/20110531/127523.htm2011/5/31 18:42:06

湿法表面粗化技术初探(图)

本文采用热h3po4湿法腐蚀方法对gan表面进行粗化处理,比较了不同腐蚀条件对表面形貌的影响,并对最终器件光电性能进行测量,分析结果显示经过粗化的ganled芯片,亮度增加可

  https://www.alighting.cn/resource/2007523/V12569.htm2007/5/23 10:46:10

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