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inn材料在光电子领域有着非常重要的应用价值，inn是性能优良的半导体材料。inn的禁带宽度也许是0.7ev左右，而不是先前普遍接受的1.9ev，所以通过调节合金组分可以获得从0
https://www.alighting.cn/resource/20110612/127509.htm2011/6/12 22:37:13
美国科学家成功制造出波长255nm、功率0.57w以及波长250nm、功率0.16w的紫外发光二极管(led)。该组件目前尚未封装，该研究小组希望藉由覆晶接合(flip-chi
https://www.alighting.cn/resource/20041101/128434.htm2004/11/1 0:00:00
到10万小时，cie坐标为（0.43，0.44），显色指数为90。而其在亮度为4000 cd/m2时器件的光效为31lm/w，色标及显色指数值则无明显变
https://www.alighting.cn/resource/20071105/128558.htm2007/11/5 0:00:00
gan是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，gan具有高的电离度，在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大气压力下，gan晶体一般是六方纤锌矿结
https://www.alighting.cn/resource/20051216/128915.htm2005/12/16 0:00:00
为200μm×200μm的芯片分别通高达500ma的大电流在测试台上加速老化。结果表明：刻蚀深度为0.8和1.29μm的芯片相对于刻蚀深度为0.5μm的芯片，其正向电压更低且光强衰
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
度大约为0.198 nm,具有较低的摩擦系数(0.1-0.15),具有较好的耐磨损性
https://www.alighting.cn/2013/2/1 14:17:59
为10294kw，镇流器损耗按光源安装总功率18%计算，照明线路损耗按5%考虑，路灯每年亮灯小时数按4000小时计，则：路灯系统电气安装总容量为10294x（0.18+0.0
https://www.alighting.cn/resource/20071129/V129.htm2007/11/29 11:47:55
250w紫外线灯在1.0米处254nm紫外线辐射照度达到496μw/c㎡，相当于10只40瓦灯的紫外线照度，表面紫外线照度更是高达70000μw/c㎡(在此照度下消毒时间不超过0
https://www.alighting.cn/resource/200925/V18686.htm2009/2/5 19:11:28
ir公司的irs254(0,1)是高压(200v(irs2540)和600v(irs2541))高频降压恒流led电流调整控制器,采用连续模式时延滞后降压稳压器,直接控制负载平
https://www.alighting.cn/resource/2009618/V884.htm2009/6/18 11:24:46
出,每个容量为0.7a/48v.也可改变为0.35a/96v.本文首先介绍了fan7529和fsfr2100的主要特性,方框图,典型应用电路.接着介绍了200wled镇流器电源解
https://www.alighting.cn/resource/20081128/V680.htm2008/11/28 11:33:25
