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光伏照明平面图修改_t3-恒兆施工图

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  https://www.alighting.cn/resource/2014/7/7/155836_97.htm2014/7/7 15:58:36

dialux evo基础教程第07集导入3d家具及物件

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  https://www.alighting.cn/resource/20150107/81597.htm2015/1/7 17:15:43

dialux evo5.1入门教程第10集放置家具(3)

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  https://www.alighting.cn/resource/20151019/133467.htm2015/10/19 14:14:44

dialux evo5.1入门教程第18集赋予材质(3)

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  https://www.alighting.cn/resource/20151020/133510.htm2015/10/20 11:16:15

dialux evo5.1入门教程第23集布置灯具(3)

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  https://www.alighting.cn/resource/20151020/133516.htm2015/10/20 14:27:12

电子镇流器设计中应关注的要点

众多的荧光灯电子镇流器的设计人员,往往更多地关注电子镇流器的功率因数、谐波、灯电流波峰比以及emi指标,作为强制性认证的关键指标,则往往没有引起设计者的足够关注。笔者按电子镇流器

  https://www.alighting.cn/resource/2011/8/12/165859_04.htm2011/8/12 16:58:59

浅析led芯片技术发展趋势

片,即,提高性价比(1m/,,l),相当于降低成本至几分之一。3维垂直结构led芯片适宜于采用大电流驱

  https://www.alighting.cn/resource/2012/4/9/112539_21.htm2012/4/9 11:25:39

led芯片技术发展趋势

片,即,提高性价比(lm/元),相当于降低成本至几分之一。3维垂直结构led芯片适宜于采用大电流驱

  https://www.alighting.cn/2013/3/21 13:08:00

可用接近式曝光装置制造新一代高亮度led—苏斯微形成2.5μm图案

日前,德国苏斯微技术(suss microtec ag)披露,对制造新一代高亮度led所需的约3μm图案,可利用现有的接近式曝光装置分辨。是通过改进接近式曝光装置的光学系统及照

  https://www.alighting.cn/resource/20100429/128398.htm2010/4/29 0:00:00

si(001)衬底上apcvd生长3c-sic薄膜的微孪晶及含量

利用x射线双晶多功能四圆衍射仪,对在si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (apcvd)生长的3c sic进行了微孪晶的分析.φ扫描证明了3c sic外延生长于si衬

  https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:36:15

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