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a相纳米AL2o3 0571-888 52193 基本信息： cas#：1344-28-1 a相纳米AL2o3硬度高、尺寸稳定性好，可广泛应用于各种塑料、橡胶、陶瓷、耐
http://blog.alighting.cn/weking1/archive/2011/7/20/230389.html2011/7/20 11:03:00
对于制作led芯片来说,衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底,需要根据设备和led器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底：?;蓝宝石(AL2o
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230089.html2011/7/18 23:27:00
d bragg reflector)反射层,将另一边的光源折向同一边。gan方面则将基板材料换成蓝宝石(sapphire,AL2o3,三氧化二铝)来增加反射,同时将基板表面设计成凹凸纹状,藉
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229962.html2011/7/17 23:37:00
求,因此有必要对该荧光粉进行更进一步的研制。一、研制过程将y2o3、ceo2、AL2o3或其取代物gd2o3或lu2o3、助熔剂等原料混合均匀,放入刚玉坩埚中,在一定的还原气氛下,
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229954.html2011/7/17 23:33:00
为甲基或乙基化合物,如：ga(ch3)3,in(ch3)3,AL(ch3)3,ga(c2h5)3,zn(c2h5)3等,它们大多数是高蒸汽压的液体或固体。用氢气或氮气作为载气,通入液
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
体单晶材料非常困难,到目前为止尚未有行之有效的办法。有研究人员通过hvpe方法在其他衬底(如AL2o3、sic、lgo)上生长氮化镓厚膜,然后通过剥离技术实现衬底和氮化镓厚膜的分
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。ii、iii族金属有机化合物通常为甲基或乙基化合物,如：ga(ch3)3,in(ch3)3,AL(ch3)3,ga(c2h5)
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,AL,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
前只能通过外延生长技术的变更和器件加工工艺的调整来适应不同衬底上的半导体发光器件的研发和生产。用于氮化镓研究的衬底材料比较多,但是能用于生产的衬底目前只有二种,即蓝宝石AL2o3和碳
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00
为二元素发光管。而目前最新的氧程是用混合铝(AL)、钙(ca) 、??(in)和氮(n)四种元素的ALgainn 的四元素材料氧造的四元素led,可以涵盖所有可见光以及部份紫外
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