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体单晶材料非常困难,到目前为止尚未有行之有效的办法。有研究人员通过hvpe方法在其他衬底(如AL2o3、sic、lgo)上生长氮化镓厚膜,然后通过剥离技术实现衬底和氮化镓厚膜的分
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
石,缓冲层为ALn,n型层采用厚度为0.8μm的si掺杂AL0.3ga0.7n形成窗口层,i型层为0.18μm的非故意掺杂的gan,p型层为0.15μm的mg掺杂gan。采用cl2、a
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
利用gcr170型脉冲激光器nd：yag 的三次谐波(355nm)，以蓝宝石AL2o3(0001)为衬底，在不同温度下采用脉冲激光沉积法制备了zno 薄膜.通过原子力显微镜
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126125.htm2013/1/23 14:07:10
共掺杂体系,适当控制AL和n的比例,克服了n单掺杂时受主间的相互排斥,降低了受主能级,对改善zno的p型掺杂有重要意
https://www.alighting.cn/2011/9/15 10:02:55
r3+∶AL2o3单晶光纤荧光寿命单调下降,从温度为0℃的4.0 ms下降到450℃的0.2 ms.利用所制备的荧光温度传感头,用波长405 nm紫色led作为泵浦光源,采用相关检
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127232.htm2011/8/30 13:42:34
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