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提高gan基发光二极管外量子效益的途径

层(dbr)结构, 改变led 基底几何外形来改变光在led 内部反射的路径和表面粗化处理以及新近的光子晶体技术和全息技术等。并对纳米压印与su8 相结合技术在提高led外量子光效益方

  https://www.alighting.cn/resource/20130531/125543.htm2013/5/31 11:31:30

蓝宝石衬底上gan/al_xga_(1-x)n超晶格插入层对al_xga_(1-x)n外延薄膜应变及缺陷密度的影响

gan/alxga1-xn超晶格插入层技术是释放应力和减少alxga1-xn薄膜中缺陷的有效方法。研究了gan/alxga1-xn超晶格插入层对gan/蓝宝石上alxga1-x

  https://www.alighting.cn/resource/20110902/127210.htm2011/9/2 17:06:01

led用红色发光材料li_3ba_2ln_(3-x)eu_x(moo_4)_8的制备及性能

采用溶胶-凝胶法合成了发光二极管(led)用的系列红色荧光粉li3ba2ln3-xeux(moo4)8(ln=la,gd,y)。利用差热-热重(tg-dta)分析和粉末x射线衍

  https://www.alighting.cn/2011/9/26 14:27:18

led显示新技术 1mm见方微型led

冲电气工业(oki electric industry;oki)将自2010年跨足led显示器事业,现已与子公司「oki digital imaging」共同研发出新技术,可在

  https://www.alighting.cn/resource/20071225/128572.htm2007/12/25 0:00:00

基于icb1fl02g的高功率节能灯设计

基于icb1fl02g的高功率节能灯设计

  https://www.alighting.cn/resource/200728/V12416.htm2007/2/8 14:03:46

in_(0.2)ga_(0.8)as/gaas单量子阱pl谱温度特性及其机制

测量了不同阱宽in0.2ga0.8as/gaas单量子阱的pl谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,

  https://www.alighting.cn/resource/20110921/127109.htm2011/9/21 9:05:53

低成本1w大功率led实用驱动电源

用。5w大功率led只有进口货,每只售价高达60元,仅适用于特殊要求的灯光工程之中,最适合人们家里作照明用的就是国产1w发光二极

  https://www.alighting.cn/resource/20130124/126119.htm2013/1/24 14:47:06

基于iesna90.1标准的绿色照明设计

例,结合具体工程设计措施,分析了gb50034与iesna 90.1标准中在照明功率密度值、光源及灯具的选择、照明控制等设计要点上的异同,对绿色照明实施过程中的iesna标准可借鉴之

  https://www.alighting.cn/resource/20141217/80992.htm2014/12/17 14:42:44

廊坊万达逸林酒店公共区域1-4层灯光图纸

附件为《廊坊万达逸林酒店公共区域1-4层灯光图纸》,欢迎大家下载学习!

  https://www.alighting.cn/resource/2014/6/26/14351_69.htm2014/6/26 14:03:51

dialux 4.6.0.1 的升级程序

dialux4.6.0.1新增功能:   体育场所:作为户外设计的补充,现在能用dialux对体育场所进行专业设计。除了一些按照设计任务选定的标准化计算网格之外,还有很多定位辅

  https://www.alighting.cn/resource/2008115/V648.htm2008/11/5 11:02:54

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