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一家由美国加州大学santa barbara分校氮化镓(GaN)实验室所独立的新创公司inlustra，日前宣布开发出一种可扩展的、用于非极性(nonplar)和半极
https://www.alighting.cn/resource/20090420/128683.htm2009/4/20 0:00:00
近日，从事GaN外延基板开发及销售等业务的风险企业powdec，公开开发表了利用GaN类半导体的肖特基势垒二极管（sbd），预估2012年前量产。
https://www.alighting.cn/news/20101203/106822.htm2010/12/3 0:00:00
三安光电称，此发明可改善蓝宝石衬底上GaN基外延晶格质量及提高GaN基led取光效率，有效提升照明级白光led芯片亮度及技术水平。
https://www.alighting.cn/news/20110914/115709.htm2011/9/14 9:20:32
为改善GaN 基发光二极管的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度为400mj/ cm2 的条件下, 将GaN 基led 从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
全色显示是有机电致发光显示( oled )器件发展的目标, 而高性能红色发光器件一直是制约全彩色oled 器件实用化的瓶颈, 也是目前有机电致发光显示研究的热点。
https://www.alighting.cn/resource/20141226/123848.htm2014/12/26 10:28:40
GaN（氮化镓）作为可大幅降低电力损耗的新一代功率半导体备受关注。利用GaN功率元件的环境目前正在迅速形成。很多企业将在2011年下半年至2012年期间开始供货GaN类功率元
https://www.alighting.cn/resource/20110914/127148.htm2011/9/14 11:52:00
科锐(nasdaq: cree)宣布超大功率xlamp? xhp led器件实现商业化量产。这一新型的led器件能够帮助降低最高40%的照明应用系统成本。xlamp? xhp5
https://www.alighting.cn/news/20141218/110370.htm2014/12/18 18:38:55
日本东北大学研究生院环境科学研究科与同和控股公司(dowa holdings)于2013年1月9日宣布，双方共同开发出了使用碳纳米管(cnt)的冷阴极场致电子发射型面发光器件。将
https://www.alighting.cn/news/2013116/n667748163.htm2013/1/16 9:19:37
“经过近几年的封装技术革新，led封装器件分类正在发生变化，可以看出此前的3020、3014、5730、4014已经基本上被2835所覆盖。”近日，国星光电副总经理兼研发中心主任
https://www.alighting.cn/news/20150916/132717.htm2015/9/16 9:58:53
日本和瑞士的研究人员已采用一种蓝宝石衬底激光方式使氢化物气相外延法(hvpe)生长的GaN层厚度增加200μm左右。研究人员来自纳米奇精密珠宝公司、洛桑联邦理工学院(epfl)
https://www.alighting.cn/2013/3/12 10:06:21
