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一家由美国加州大学santa barbara分校氮化镓(GaN)实验室所独立的新创公司inlustra，日前宣布开发出一种可扩展的、用于非极性(nonplar)和半极
https://www.alighting.cn/resource/20090420/128683.htm2009/4/20 0:00:00
近日，从事GaN外延基板开发及销售等业务的风险企业powdec，公开开发表了利用GaN类半导体的肖特基势垒二极管（sbd），预估2012年前量产。
https://www.alighting.cn/news/20101203/106822.htm2010/12/3 0:00:00
三安光电称，此发明可改善蓝宝石衬底上GaN基外延晶格质量及提高GaN基led取光效率，有效提升照明级白光led芯片亮度及技术水平。
https://www.alighting.cn/news/20110914/115709.htm2011/9/14 9:20:32
为改善GaN 基发光二极管的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度为400mj/ cm2 的条件下, 将GaN 基led 从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
GaN（氮化镓）作为可大幅降低电力损耗的新一代功率半导体备受关注。利用GaN功率元件的环境目前正在迅速形成。很多企业将在2011年下半年至2012年期间开始供货GaN类功率元
https://www.alighting.cn/resource/20110914/127148.htm2011/9/14 11:52:00
全色显示是有机电致发光显示( oled )器件发展的目标, 而高性能红色发光器件一直是制约全彩色oled 器件实用化的瓶颈, 也是目前有机电致发光显示研究的热点。
https://www.alighting.cn/resource/20141226/123848.htm2014/12/26 10:28:40
日本和瑞士的研究人员已采用一种蓝宝石衬底激光方式使氢化物气相外延法(hvpe)生长的GaN层厚度增加200μm左右。研究人员来自纳米奇精密珠宝公司、洛桑联邦理工学院(epfl)
https://www.alighting.cn/2013/3/12 10:06:21
由于led具有电光转换效率高、寿命长和节能环保等优点,以GaN基led为主的半导体照明近年来发展非常迅猛,各种应用层出不穷,当前在全球能源紧张和“节能减排”的大环境下,国家非常重
https://www.alighting.cn/resource/20120302/126705.htm2012/3/2 10:09:16
运用第一性原理平面波赝势和广义梯度近似方法，对纤锌矿结构和氯化钠结构GaN的状态方程及其在高压下的相变进行计算研究，分析相变点附近的电子态密度、能带结构和光学性质的变化机制.
https://www.alighting.cn/resource/20150305/123531.htm2015/3/5 9:53:05
对GaN基白光二极管(led)分别施加-1600、-1200、-800、-400、400、800、1200和1600v静电打击，每次静电打击后，测量led电学参数和光学参数的变化。
https://www.alighting.cn/2015/2/13 11:12:42
