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为改善GaN 基发光二极管的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度为400mj/ cm2 的条件下, 将GaN 基led 从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
以氧化铝及硅作为led集成封装基板材料的热阻比较分析，详细说明这些材料做的热阻的导热性和绝缘性，以及导致的问题对led光源性能的影响。
https://www.alighting.cn/resource/2011/1/5/11218_46.htm2011/1/5 11:21:08
以GaN为代表的第三代半导体材料是近十几年来国际上倍受重视的新型半导体材料，在白光led、短波长激光器、紫外探测器以及高温大功率器件中具有广泛的应用前景.因而开发适合规模制造ga
https://www.alighting.cn/resource/20100607/128384.htm2010/6/7 0:00:00
GaN类功率半导体能否成为新一代功率半导体的主角？GaN类功率元件的成本、电气特性以及周边技术方面存在的课题是如何解决的呢?
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127189.htm2011/9/6 17:59:41
一家由美国加州大学santa barbara分校氮化镓(GaN)实验室所独立的新创公司inlustra，日前宣布开发出一种可扩展的、用于非极性(nonplar)和半极
https://www.alighting.cn/resource/20090420/128683.htm2009/4/20 0:00:00
GaN基蓝光led高亮度化对传统照明光源带来了很大冲击。简述了GaN材料和GaN基蓝光led器件结构的发展，阐述了为改善led性能的一些新措施，led在照明光源上的应用优势，给
https://www.alighting.cn/2014/10/11 11:37:06
GaN（氮化镓）作为可大幅降低电力损耗的新一代功率半导体备受关注。利用GaN功率元件的环境目前正在迅速形成。很多企业将在2011年下半年至2012年期间开始供货GaN类功率元
https://www.alighting.cn/resource/20110914/127148.htm2011/9/14 11:52:00
led领域里有采用非常多的陶瓷材料，例如衬底材料(蓝宝石，碳化硅，氧化锌等)，荧光粉也是陶瓷材料，当然支架也有采用陶瓷。氧化铝陶瓷做支架性价比为佳，其具有高散热、低热阻、寿命长、耐
https://www.alighting.cn/resource/20121122/126287.htm2012/11/22 13:05:07
日本和瑞士的研究人员已采用一种蓝宝石衬底激光方式使氢化物气相外延法(hvpe)生长的GaN层厚度增加200μm左右。研究人员来自纳米奇精密珠宝公司、洛桑联邦理工学院(epfl)
https://www.alighting.cn/2013/3/12 10:06:21
由于led具有电光转换效率高、寿命长和节能环保等优点,以GaN基led为主的半导体照明近年来发展非常迅猛,各种应用层出不穷,当前在全球能源紧张和“节能减排”的大环境下,国家非常重
https://www.alighting.cn/resource/20120302/126705.htm2012/3/2 10:09:16
