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一份来自新世纪led有奖征稿活动的关于《非极性GaN薄膜及其衬底材料》的资料，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/4/12 13:01:03
2007年4月24日，日立电线株式会社(hitachi cable)确认已成功制备出直径3英寸的GaN衬底。
https://www.alighting.cn/news/20070425/117179.htm2007/4/25 0:00:00
采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波计算方法，系统研究了不同应力作用下GaN的电子结构和光学性质，对比分析了外压调制对GaN的能带结构、态密度和光学性质变化的影响。
https://www.alighting.cn/resource/20150302/123550.htm2015/3/2 11:45:19
研究了不同能量的电子束辐照对GaN基发光二极管(light emitting diode,led)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对GaN基led外延片进
https://www.alighting.cn/2012/9/18 19:09:14
ims research最新一季氮化镓led供求报告结果显示2011年GaN led封装收入比去年减少6%，预计GaN led市场在2012年至2015年期间会逐步回暖，并且由
https://www.alighting.cn/news/20120201/89666.htm2012/2/1 11:27:54
硅基GaN衬底面临一些技术挑战。GaN和硅之间的巨大晶格失配导致了外延层的缺陷密度太高。而且两者之间的巨大热膨胀系数会导致它在从生长温度冷却至室温时产生大的拉伸应力，这会引起薄
https://www.alighting.cn/news/20140509/87721.htm2014/5/9 10:19:47
据日经新闻23日报导，三菱化学(mitsubishi chemical)计划于今(2012)年10月开始量产使用于led的氮化镓(GaN)基板，因其电光转换率高(将电力转换成
https://www.alighting.cn/news/20120223/114925.htm2012/2/23 9:48:18
大阪大学研究生院工学研究系材料生产科学专业教授藤原康文试制出了利用GaN系半导体的红色led组件。利用GaN系半导体的蓝色led组件及绿色led组件现已达到实用水平，但试制出红
https://www.alighting.cn/news/20090707/120831.htm2009/7/7 0:00:00
利用自制的在位监测系统,研究了用金属有机物化学气相外延法(mocvd)在蓝宝石衬底上生长GaN时,GaN低温缓冲层的生长压力对高温生长GaN外延层性能的影响规律.在位监测曲线及扫
https://www.alighting.cn/resource/20130625/125485.htm2013/6/25 16:38:58
报道了一种可靠稳定且低接触电阻的n型GaN欧姆接触。首先在掺硅的n型GaN(3×1018cm-3)蒸镀ti(30nm)/al(500nm),然后在氮气环境530℃合金化3mi
https://www.alighting.cn/resource/20130924/125296.htm2013/9/24 13:44:54
