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研究表明:在选择粒径为720nm的ps球、刻蚀剩余粒径为240nm、金属膜厚度为120nm的条件下,满足cie红光显示标准的共振波长为704. 06nm,强度透射率为52%,透射谱
https://www.alighting.cn/resource/20150306/123515.htm2015/3/6 9:38:38
自20世纪90年代三位日裔科学家赤崎勇、天野浩和中村修二在GaN基蓝光led技术取得的重大突破以来，led技术快速发展。这也强有力地推动了照明技术的发展，已经并将对照明技术产生巨
https://www.alighting.cn/news/20150305/83161.htm2015/3/5 11:05:31
采用高分辨x 射线衍射仪(hrxrd)和扫描电子显微镜(sem)对外延生长所得GaN 薄膜的晶体质量和表面形貌进行了表征。
https://www.alighting.cn/resource/20150305/123530.htm2015/3/5 10:13:17
照明技术的物质基础是光源。因此，照明技术的发展是基于光源技术的发展的。自20世纪90年代三位日裔科学家赤崎勇、天野浩和中村修二在GaN基蓝光led技术取得的重大突破以来，led技
https://www.alighting.cn/news/20150305/86363.htm2015/3/5 10:10:12
运用第一性原理平面波赝势和广义梯度近似方法，对纤锌矿结构和氯化钠结构GaN的状态方程及其在高压下的相变进行计算研究，分析相变点附近的电子态密度、能带结构和光学性质的变化机制.
https://www.alighting.cn/resource/20150305/123531.htm2015/3/5 9:53:05
东芝照明新产品中因小型化而空出的空间追加了调光功能。借助相位调光控制用ic以及调光控制软件，不仅led专用的调光器，就连白炽灯用调光器也支持“premium调光technology
https://www.alighting.cn/pingce/20150304/121432.htm2015/3/4 14:37:49
东芝照明技术公司开发出了在电源电路中应用GaN功率元件的卤素led灯泡。新产品将在2015年3月6日推出。与原来采用硅功率元件时相比，采用GaN功率元件后，能够以相当于前者约10
https://www.alighting.cn/news/20150304/83130.htm2015/3/4 13:41:39
在si衬底上生长了GaN基led外延材料，分别转移到新的硅基板和铜基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。
https://www.alighting.cn/2015/3/3 10:32:36
采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波计算方法，系统研究了不同应力作用下GaN的电子结构和光学性质，对比分析了外压调制对GaN的能带结构、态密度和光学性质变化的影响。
https://www.alighting.cn/resource/20150302/123550.htm2015/3/2 11:45:19
测试结果表明获得的大面积金凸点连接的剪切力最高达53.93 g/bump，焊接后的GaN 基绿光led 在350 ma 工作电流下正向电压为3.0 v。将热超声倒装焊接技术用于制
https://www.alighting.cn/resource/20150302/123551.htm2015/3/2 11:34:51
