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ccs-mocvd系统生长了inGaN/GaN mqw蓝光led外延片。通过实验，对两片样品外延片进行了分析和测试，发现衬底氨化时间的长短和生长GaN缓冲层镓量与氨量的化学计量
https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18
讨论了采用mocvd在al2 o3衬底上生长GaN过程中的极性问题。在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一al层来改变外延层的极性 ,并用ciciss来测量这一极性 ,最后给出了一
https://www.alighting.cn/resource/20111008/127042.htm2011/10/8 11:28:23
日本文部科学省将于2016年度内启动名为“有助于实现节能社会的新一代半导体研究开发”的GaN功率元件开发项目。相关负责人介绍说，“这是文科省的第一个电子元器件项目”。该项目的核
https://www.alighting.cn/news/20160418/139483.htm2016/4/18 9:28:20
以高亮度GaN 基蓝光led 为核心的半导体照明技术对照明领域带来了很大的冲击, 并成为目前全球半导体领域研究和投资的热点。本文首先综述了GaN 基材料的基本特性, 分析了ga
https://www.alighting.cn/resource/20130311/125922.htm2013/3/11 9:40:56
研究了采用mocvd技术分别在100与500torr反应室压力下生长的非故意掺杂GaN薄膜的光学与电学性能。
https://www.alighting.cn/resource/20150306/123512.htm2015/3/6 11:50:51
本文介绍了关于新材料器件进展与GaN器件封装技术研究，有兴趣的可以下载附件的pdf学习噢！~
https://www.alighting.cn/resource/20141103/124134.htm2014/11/3 13:47:38
一份来自新世纪led有奖征稿活动的关于《非极性GaN薄膜及其衬底材料》的资料，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/4/12 13:01:03
2007年4月24日，日立电线株式会社(hitachi cable)确认已成功制备出直径3英寸的GaN衬底。
https://www.alighting.cn/news/20070425/117179.htm2007/4/25 0:00:00
广州市鸿利光电股份有限公司董事、技术中心副主任吴乾认为，晶圆级封装将是产业发展的必然趋势，晶圆级封装可以将尺寸做小、成本降低。
https://www.alighting.cn/news/20120920/85374.htm2012/9/20 10:21:29
日前，日本化学大厂德山(tokuyama)与日本电气设备大厂斯坦利电气(stanley electric)决定，在深紫外线led领域扩大合作，德山维持深紫外线led材料研发，而晶
https://www.alighting.cn/news/20170221/148345.htm2017/2/21 11:18:21
