站内搜索
研究了不同能量的电子束辐照对GaN基发光二极管(light emitting diode,led)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对GaN基led外延片进
https://www.alighting.cn/2012/9/18 19:09:14
ims research最新一季氮化镓led供求报告结果显示2011年GaN led封装收入比去年减少6%，预计GaN led市场在2012年至2015年期间会逐步回暖，并且由
https://www.alighting.cn/news/20120201/89666.htm2012/2/1 11:27:54
科锐公司(cree)宣布推出可适用于军用和商用s 波段雷达中的高效GaN hemt 晶体管。全新60w GaN hemt psat 晶体管帮助降低军用和民用雷达系统，对于高功率放
https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122233.htm2012/7/11 9:33:21
硅基GaN衬底面临一些技术挑战。GaN和硅之间的巨大晶格失配导致了外延层的缺陷密度太高。而且两者之间的巨大热膨胀系数会导致它在从生长温度冷却至室温时产生大的拉伸应力，这会引起薄
https://www.alighting.cn/news/20140509/87721.htm2014/5/9 10:19:47
大阪大学研究生院工学研究系材料生产科学专业教授藤原康文试制出了利用GaN系半导体的红色led组件。利用GaN系半导体的蓝色led组件及绿色led组件现已达到实用水平，但试制出红
https://www.alighting.cn/news/20090707/120831.htm2009/7/7 0:00:00
据日经新闻23日报导，三菱化学(mitsubishi chemical)计划于今(2012)年10月开始量产使用于led的氮化镓(GaN)基板，因其电光转换率高(将电力转换成
https://www.alighting.cn/news/20120223/114925.htm2012/2/23 9:48:18
2011年6月11日，“亚洲led照明高峰论坛 -- 外延芯片技术与工艺和外延设备和材料”专题分会在广州琶洲展馆b区8号会议厅南厅举行。来自山东大学晶体材料研究所特聘专家王成新博
https://www.alighting.cn/news/20110612/109070.htm2011/6/12 17:31:55
利用自制的在位监测系统,研究了用金属有机物化学气相外延法(mocvd)在蓝宝石衬底上生长GaN时,GaN低温缓冲层的生长压力对高温生长GaN外延层性能的影响规律.在位监测曲线及扫
https://www.alighting.cn/resource/20130625/125485.htm2013/6/25 16:38:58
氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(GaN)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了GaN体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57
据报导，为了让照明用led进一步普及，三菱化学评估GaN基板的适当价格应压低至现行的1/10，达每平方公分1,000日圆的水平。
https://www.alighting.cn/news/20110914/115503.htm2011/9/14 9:51:05
