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外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、sic、si)上，气态物质ingaalp有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技
https://www.alighting.cn/2015/2/4 9:50:56
板无裂纹,其平均粗糙度为0.35nm,(0002)和(1012)回摆曲线fwhm分别为37″和712″。详细论述了aln基板的生长模式、位错行为和应力释放途
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127209.htm2011/9/2 17:16:23
d应用的各个环节（LED灯带，LED光条，LED护栏管，LED射灯等）注意事项等等，此书已经帮助了很多LED学员和销售员，对LED学员和销售员来说,是一本入门极好的秘
https://www.alighting.cn/resource/20120419/126599.htm2012/4/19 13:13:25
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和sic，si）上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生
https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30
本文为日本名城大学hiroshi amno教授关于《非极性和半极性面氮化物材料和器件生长》的一篇精彩演讲的演讲稿件，现在共享与此，提供给大家参考阅读。
https://www.alighting.cn/resource/20120326/126644.htm2012/3/26 14:09:45
利用低压金属有机化学汽相淀积(mocvd)设备在ge衬底上生长gaas外延层。通过改变gaas过渡层的生长温度对gaas外延层进行了表征,利用扫描电镜(sem)和x射线衍射仪研
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44
由于整个竖式LED结构采用mocvd技术生长,这种技术不仅仅决定LED的质量和性能,而且在很大程度上决定LED制造的产量和成本。因此,mocvd生产率的优化和营运成本的减
https://www.alighting.cn/resource/20110801/127363.htm2011/8/1 9:44:07
利用mocvd系统在al2o3衬底上生长ingan材料和ingan/gan量子阱结构材料。研究发现,ingan材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
采用mocvd技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了n极性gan薄膜。
https://www.alighting.cn/2014/11/27 14:08:56
本文就“gan材料的特性与应用，gan是什么？”做了简要的分析概述，以飨读者；
https://www.alighting.cn/resource/20101210/128138.htm2010/12/10 13:45:00
