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晶能光电:大尺寸衬底LED技术的最新进展

6月10日,在广州举行的2013年新世纪LED峰会外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中,晶能光电衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“衬底氮化镓大功率LED的研发及产

  https://www.alighting.cn/news/20130617/112630.htm2013/6/17 17:57:58

普瑞光电推出新型氮化镓衬底LED制造技术

普瑞光电近日宣布,他们已经成功实现了最新的基于衬底的LED制造技术研发成果。该技术主要使用成本较低的来取代目前使用的更昂贵的制造材料。

  https://www.alighting.cn/news/20110315/115520.htm2011/3/15 10:26:38

基于mems的LED芯片封装的光学特性分析

本文提出了一种基于mems的LED芯片封装技术,利用体工艺在基上形成的凹槽作为封装LED芯片的反射腔。分析了反射腔对LED的发光强度和光束性能的影响,分析结果表明该反射腔可

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1065.htm2010/1/18 14:49:11

日本成功开发出嵌入锗量子点的LED

近日,日本东京都市大学综合研究所纳米科学研究中心成功开发出采用锗(ge)量子点的发光元件。

  https://www.alighting.cn/news/20100526/105710.htm2010/5/26 0:00:00

衬底LED缘何能获“国家科学技术发明一等奖”?

尘埃落定,2015年度国家科学技术发明一等奖于今日正式揭晓,“衬底高光效gan基蓝色发光二极管”项目(简称衬底)摘得了此桂冠。十年磨一剑,衬底LED技术终于迈向了新征程,

  https://www.alighting.cn/news/20160108/136208.htm2016/1/8 12:04:02

国家科技支撑计划“基高亮绿光LED研发”通过项目验收

2015年12月17日,由南昌大学承担的国家科技支撑计划项目“基高亮绿光LED研发”在南昌顺利通过结题验收。科技部高新司材料处、科技部资管司研发二处、科技部高技术中心材料处的有

  https://www.alighting.cn/news/20160118/136491.htm2016/1/18 10:22:32

台湾联胜光电年底衬底月产能达500万颗

联胜总裁黄国欣指出,等了10年,联胜的衬底LED自5月开始正式出货,年底单月产能上看500万颗,且良率可提升至60%,届时衬底LED毛利率将远高于蓝宝石衬底LED,有助于联

  https://www.alighting.cn/news/20120521/114122.htm2012/5/21 13:56:49

衬底LED芯片主要制造工艺

目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上gan基LED专利技术,美国cree公司垄断了sic衬底上gan基LED专利技术。因此,研发其他衬底上的gan基LED生产技术成为国际上的一个热

  https://www.alighting.cn/resource/20100701/129051.htm2010/7/1 0:00:00

LED封装用环氧树脂与有机

LED产业在封装技术上的发展重点在于低热阻抗及高可靠度。为了因应LED在照明领域的特性需求,高亮度LED芯片技术的开发朝向高亮度发光效率努力。

  https://www.alighting.cn/resource/20110318/127877.htm2011/3/18 10:49:06

为什么要用单晶芯片衬底

是集成电路产业的基础,半导体材料中98%是,半导体工业产品包括多晶、单晶(直拉和区熔)、外延片和非晶等,其中,直拉单晶广泛应用于集成电路和中小功率器件。区域熔单晶目

  https://www.alighting.cn/resource/20110323/127841.htm2011/3/23 13:44:17

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