站内搜索
报道了一种可靠稳定且低接触电阻的N型gaN欧姆接触。首先在掺硅的N型gaN(3×1018cm-3)蒸镀ti(30Nm)/al(500Nm),然后在氮气环境530℃合金化3mi
https://www.alighting.cn/resource/20130924/125296.htm2013/9/24 13:44:54
发光二极管是由ⅲ-ⅳ族化合物，如gaas(砷化镓)、gap(磷化镓)、gaasp(磷砷化镓)等半导体制成的，其核心是pN结。因此它具有一般p- N结的i-N特性，即正向导通，反
https://www.alighting.cn/resource/20130922/125301.htm2013/9/22 16:24:22
本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gaN表面蒸发不同厚度的Ni覆盖层,将其在N2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面Ni覆盖
https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01
天我们是后者”。在这里我想说，不要拿人类说事，好像众人皆醉你独醒似的，你娃就是不好好学国粹，看看《麻衣相术》吧！这也是先人通过N多实践总结出来的科学，从面相上看那就不是一个能够创造真
http://blog.alighting.cn/190773/archive/2013/8/24/324512.html2013/8/24 9:46:06
s aires, argeNtiNaexecutive creative directors: herNáN jauregui, pablo battlecreativ
http://blog.alighting.cn/fangke/archive/2013/8/20/324244.html2013/8/20 14:21:00
对52款led灯杯产品进行安规测试，绝缘性能检测不合格率高达40%。据分析，不合格问题主要表现在以下两个方面：1.器具进行耐压测试时出现击穿或者闪络现象;2.灯体内部l、N两极之间的
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/8/19/323992.html2013/8/19 18:11:30
向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入p区，空穴由p区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，
http://blog.alighting.cn/189947/archive/2013/8/14/323484.html2013/8/14 14:02:18
定势垒，当加正向偏置电压时势垒下降，p区和N区的多数载流子向对方扩散。由于电子迁移率比空穴迁移率大得多，所以会出现大量电子向p区扩散，构成对p区少数载流子的注入。这些电子与价带
http://blog.alighting.cn/cnjjzm/archive/2013/8/13/323335.html2013/8/13 9:33:00
该 tps92690 是一款支援低侧电流感应的 N 通道 mosfet 控制器，支援升压或升降压led驱动器拓朴，如sepic、cuk、返驰式拓朴
https://www.alighting.cn/pingce/20130812/121756.htm2013/8/12 10:24:41
向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入p区，空穴由p区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复
http://blog.alighting.cn/134048/archive/2013/8/6/322924.html2013/8/6 16:57:51
