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本文首先综述了gan基材料的基本特性，分析了gan基蓝光led制程的关键技术如金属有机物气相外延，P型掺杂，欧姆接触，刻蚀工艺，芯片切割技术，介绍了目前各项技术的工艺现状，最后指
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124155.htm2014/10/29 11:16:21
良品的外延片就要开始做电极(P极，n极)，接下来就用激光切割外延片，然后百分百分捡，根据不同的电压，波长，亮度进行全自动化分检，也就是形成led晶片(方片)。然后还要进行目测，
https://www.alighting.cn/resource/20110920/127115.htm2011/9/20 11:55:56
本文介绍采用osram的高亮度mintwhite led与amber色led构成高光效高显色指数的led灯的配比, 并采用osram光电的luw-cqdP(eqw)与la-cP7
https://www.alighting.cn/resource/20110727/127389.htm2011/7/27 14:19:22
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和sic，si）上，气态物质in,ga,al,P有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30
小关系不大，但与电极的位置有关，P焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高，正向压降也
https://www.alighting.cn/resource/20110323/127842.htm2011/3/23 13:37:45
表在 jaPanese journal of aPPlied Physics 期刊2010年 vol 49 , P080203 的文
https://www.alighting.cn/resource/20100826/127974.htm2010/8/26 10:02:38
2007年9月19日，首尔半导体（ssc）当天宣布其单封装led（图左）亮度达到业内最高，与 z-Power P4 led（100lm）相比，亮度提高了三倍。ssc的高性能le
https://www.alighting.cn/resource/20070920/128531.htm2007/9/20 0:00:00
为了提高led芯片的出光效率，人们想了许多办法。比如，当前市场上出现了许多亮度较高的ito芯片的led，gan基白光led中如果用ito替代ni/au作为P型电极芯片的亮度要比采
https://www.alighting.cn/resource/20090224/128667.htm2009/2/24 0:00:00
外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和sic两种)上，气态物质in,ga,al,P有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/resource/20051208/128900.htm2005/12/8 0:00:00
《民用建筑电气设计规范》jgj/t 16-92中有关应急照明供电设计的条款(11.8.7.2、11.8.7.4、11.8.8、11.8.9等)指出：应急照明应由两路电源供电，在重
https://www.alighting.cn/resource/2014/1/21/115330_03.htm2014/1/21 11:53:30
