站内搜索
研究了低能电子束辐照(leebi)对大功率gan 基蓝光led 性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射，对蓝光led 进行leebi，并对比未辐照的led，研究其电
https://www.alighting.cn/2014/10/20 11:16:19
果有反向电流，则称为漏电，漏电电流大的led，寿命短，价格
https://www.alighting.cn/resource/2014/10/17/165335_39.htm2014/10/17 16:53:35
从目前实验的结果来看，晶片对光衰的影响分为两大类：第一是晶片的材质不同导致衰减不同，目前常用的蓝光晶片衬底材质为碳化硅和蓝宝石，碳化硅一般结构设计为单电极，其导热效果比较好，蓝宝
https://www.alighting.cn/2014/10/13 14:02:58
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能，其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.
https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36
目前,白光led(wled)的制备方法主要是利用蓝光led 芯片与yag 荧光粉结合实现(即光转换法),但由于yag 的发射光谱中缺少红光成分,所以难以实现高显色性 ,并且该问
https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:26:44
在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲基镓(tmga)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变tmga 流量制备了4 个蓝光led 样品。
https://www.alighting.cn/2014/10/13 11:35:44
gan基蓝光led高亮度化对传统照明光源带来了很大冲击。简述了gan材料和gan基蓝光led器件结构的发展，阐述了为改善led性能的一些新措施，led在照明光源上的应用优势，给
https://www.alighting.cn/2014/10/11 11:37:06
采用出光筒控制光源方向和积分球收集光线，能有效防止能量损失，提高测试的精确性。通过实验得到了不同强度蓝光激发下的荧光粉光谱功率分布以及发光效能、量子效率、光转换效率等参数的变化规
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124216.htm2014/10/11 11:12:47
目前普遍认为蓝移是in组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因，然而实验发现高in组分没有出现峰位蓝移，产生这一异常现象的原因主要是因为高in组分造成的势起伏较大，在80k～16
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124217.htm2014/10/11 10:37:14
通过实验主要研究了it o 导电膜的退火对蓝光led 光电参数的影响, 发现经过ito退火工艺的芯片比没有it o 退火的芯片正向压降低0. 2 v 以上,亮度一致性更高, 这
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124218.htm2014/10/11 10:18:16
