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司在1998年推出的luxeon led，该封装结构的特点是采用热电分离的形式，将倒装芯片（flip chip）用硅载体直接焊在热沉上，并采用反射杯、光学透镜和柔性透明胶等新结构和新材
http://blog.alighting.cn/sunfor/archive/2010/7/27/58017.html2010/7/27 11:36:00
术和多量子阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114854.html2010/11/18 0:21:00
" width=360 从结构图中看出，si衬底芯片为倒装薄膜结构，从下至上依次为背面au电极、si基板、粘接金属、金属反射镜（p欧姆电极）、gan外延层、粗化表面和au电极。这
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
1。 从结构图中看出，si衬底芯片为倒装薄膜结构，从下至上依次为背面au电极、si基板、粘接金属、金属反射镜(p欧姆电极)、gan外延层、粗化表面和au电极。这
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
做直下式，用倒装技术，特点是不用金线。 下游 应用环节分属各自行业（如照明、tv、汽车等），未来市场空间巨大，但目前行业高度分散且无明显龙头企业。 证通电子（15.93,
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/2/10/131885.html2011/2/10 8:49:00
http://blog.alighting.cn/cathycao99/archive/2011/2/12/132339.html2011/2/12 13:15:00
阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，并通过增
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133826.html2011/2/19 23:17:00
性。例如，采用大面积芯片倒装结构，选用导热性能好的银胶，增大金属支架的表面积，焊料凸点的硅载体直接装在热沉上等方法。此外，在应用设计中，pcb线路板等的热设计、导热性能也十分重要。 进
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133866.html2011/2/19 23:34:00
而增加，目前，很多功率型led的驱动电流可以达到70ma、100ma甚至1a级，需要改进封装结构，全新的led封装设计理念和低热阻封装结构及技术，改善热特性。例如，采用大面积芯片倒
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00
j（smallout-linej-leadedpackage）：j形引线小外形封装。 COB（chiponboard）：板上芯片封装。 flip-chip：倒装焊芯片。 片式元件（chi
http://blog.alighting.cn/sz_nltsmt5188/archive/2011/6/20/222189.html2011/6/20 15:31:00
