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国 iii-n technology，3n技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓衬底，可以增进照明和传感器的应用，并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二极管提供6英寸生产技术。3
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262735.html2012/1/29 0:41:22
d技术具有节能环保、可控两大显著优点。在节能环保方面，led技术要比传统光源平均节能60%至80%。同时，led光源可以在计算机控制下形成不同光色的组合，实现丰富多彩的动态变化效
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262728.html2012/1/29 0:40:13
蚀 - n型电极（镀膜、退火、刻蚀） - p型电极（镀膜、退火、刻蚀） - 划片 - 芯片分检、分级 具体介绍如下： 固定：将单晶硅棒固定在加工台上。 切片：将单晶硅棒切成具
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262722.html2012/1/29 0:39:56
电的蓝宝石那样必须都从一侧引出,这样不但可以减少管芯面积还可以省去对gan外延层的干法腐蚀步骤。同时由于硅的硬度比蓝宝石和sic低,在加工方面也可以节省一些成本。据国外某知名公司的估计使
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262704.html2012/1/29 0:38:54
究是非常必要而且很有意义的。中国照明网技术论文?led照明３、ｌｅｄ光度测量原理３．１光强度的测量方法把光强标准灯,led和配有v(λ)滤光片的硅光电二极管安装和调试在光具座上,特
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262702.html2012/1/29 0:38:47
式。采用与医学用生命支持设备相同的技术，camd发展出一种硅载体（silicon carrier）或次黏着基台（submount），以做为ingan芯片与导线框之间的内部固着介质；
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262661.html2012/1/29 0:36:32
近 30 lm/w。；能够推出全彩色 oled 的公司和研究单位越来越多，采用低温多晶硅 tft 驱动的全彩色器件也已经被开发了出来；白光 oled 得到了广泛的重视，已制成的白光器
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262644.html2012/1/29 0:35:19
给700ma的输出电流。每一并联fet（共三个）均由浮点型驱动器(floating driver)实现控制，可通过标准逻辑驱动，并从而可控制具有不同电压值（参考地电平）的fet。该电
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262642.html2012/1/29 0:35:14
片温度不超过60℃。3．连接方法： 大功率led基板与散热片连接时请保证两接触面平整，接触良好，为加强两接触面的结合程度，建议在led基板底部或散热片表面涂敷一层导热硅脂（导热硅
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262616.html2012/1/29 0:33:42
1,cree 著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(sic)，氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激
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