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光纤led驱动电路的设计

m波长时为0.2db/m,而200μm hcs光纤在650mm波长典型损耗值仅为8db/km,在820nm波长时更少。hcs光纤的核心是石英玻璃,包层是专利的高强度聚合,不仅增

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233021.html2011/8/19 23:22:00

光纤led驱动电路的设计

m波长时为0.2db/m,而200μm hcs光纤在650mm波长典型损耗值仅为8db/km,在820nm波长时更少。hcs光纤的核心是石英玻璃,包层是专利的高强度聚合,不仅增

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258550.html2011/12/19 10:59:19

光纤led驱动电路的设计

m波长时为0.2db/m,而200μm hcs光纤在650mm波长典型损耗值仅为8db/km,在820nm波长时更少。hcs光纤的核心是石英玻璃,包层是专利的高强度聚合,不仅增

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258565.html2011/12/19 11:00:41

未来新星 浅谈oled显示技术

体材料大致可分为小分子器件和高分子器件( pled )两种。小分子 oled 技术发展的较早,因而技术也较为成熟。高分子器件( pled )的发展始于 1990 年,由于聚合可以采

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258596.html2011/12/19 11:02:09

未来新星 浅谈oled显示技术

体材料大致可分为小分子器件和高分子器件( pled )两种。小分子 oled 技术发展的较早,因而技术也较为成熟。高分子器件( pled )的发展始于 1990 年,由于聚合可以采

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261472.html2012/1/8 21:40:10

光纤led驱动电路的设计

m波长时为0.2db/m,而200μm hcs光纤在650mm波长典型损耗值仅为8db/km,在820nm波长时更少。hcs光纤的核心是石英玻璃,包层是专利的高强度聚合,不仅增

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261502.html2012/1/8 21:46:50

光纤led驱动电路的设计

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  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261517.html2012/1/8 21:47:31

未来新星 浅谈oled显示技术

体材料大致可分为小分子器件和高分子器件( pled )两种。小分子 oled 技术发展的较早,因而技术也较为成熟。高分子器件( pled )的发展始于 1990 年,由于聚合可以采

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262644.html2012/1/29 0:35:19

光纤led驱动电路的设计

m波长时为0.2db/m,而200μm hcs光纤在650mm波长典型损耗值仅为8db/km,在820nm波长时更少。hcs光纤的核心是石英玻璃,包层是专利的高强度聚合,不仅增

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262675.html2012/1/29 0:37:14

光纤led驱动电路的设计

m波长时为0.2db/m,而200μm hcs光纤在650mm波长典型损耗值仅为8db/km,在820nm波长时更少。hcs光纤的核心是石英玻璃,包层是专利的高强度聚合,不仅增

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